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新型MOSFET在升壓變換器中減少開關損耗的解決方案
摘要: 升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率,設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中,利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。
Abstract:
Key words :

    1 引言

    在開關電源設計中,效率是一個關鍵性的參數(shù)。輸入和輸出濾波電容器、變壓器磁芯的幾何圖形與特性及開關器件等,都會影響系統(tǒng)的效率。為減小濾波電容和磁性元件的尺寸,開關電源的頻率在不斷提高。因此,功率器件的開關損耗在整個系統(tǒng)損耗中占有更大的比重。選用低開關損耗的MOSFET,是提高SMPS效率的重要環(huán)節(jié)??旖荩ㄓ置赏┌雽w新發(fā)明的QFET系列,是新一代功率MOSFET,用其可以獲得低開關損耗。本文回顧了升壓型變換器的基本工作原理,作為QFET的一個應用實例,介紹了FQP10N20型QFET在70W彩色監(jiān)視器升壓變換器電源中作為開關使用的優(yōu)點。

    2 升壓變換器工作原理

    升壓變換器是將一個DC輸入電壓變換成比輸入電壓高的并經(jīng)過調整的DC輸出電壓的電源變換器,其基本電路如圖1所示。當開關Q1導通時,輸入DC電壓Vi施加到電感器L的兩端,二極管D因反偏而截止,L儲存來自輸入電源的能量。當開關Q1關斷時,L中的儲能使D正偏而導通,并將能量傳輸?shù)捷敵鲭娙軨和負載R中。

圖1升壓變換器基本電路

    圖2為圖1電路的相關波形。穩(wěn)態(tài)時在一個開關周期內,電感器L儲存的能量與釋放的能量保持平衡,用伏秒積表示如下:

    ViDTs=(VO-Vi)(1-D)Ts(1)

    式中Ts為開關周期,D為開關占空比。從式(1)可得:

   

    由于D<1, 故 VO>Vi。L兩端的電壓為:

    當開關Q1開通時,根據(jù)公式(3),電感電流的變化可用式(4)計算:

圖2 升壓變換器相關波形

圖3 70W、80kHz彩色監(jiān)視器用升壓變換器電路

    電感電流平均值可表示為:

    整個開關周期中的平均電流等于輸出電流,即IO=Iav。根據(jù)式(5)可得:

    在電感電流連續(xù)模式中,IO>()DTs。為保持較低的電感峰值電流和較小的輸出紋波電壓,按照慣例,推薦ΔiL=0.3io。于是式(4)可改寫為:

圖4 通態(tài)電阻比較

圖5 關斷波形比較

圖6 關斷損耗比較

圖7 柵極電壓Vgs關斷波形

    當Q1導通時,輸出電容放電,峰耗,提高效率,主要途徑是:

    (1)選用低開關損耗的MOSFET;

    (2)選用低等效串聯(lián)電阻(ESR)的電容器C1和C5;

    (3)選用低等效電阻的電感線圈L1;

    (4)選用低導通電阻和低通態(tài)電壓的二極管D1。

    關于L1和輸出電容C5數(shù)值選擇可根據(jù)式(7)和式(9)求出。輸出電流IO=PO/VO=70W/120V≈0.6A,開關周期Ts=1/fs=1/80kHz=12.5μs,Vi=50V,設最大占空比Dmax=0.73,代入式(7)可得:

   

    =2.5×10-3H=2.5mH

    紋波電壓Δvo=120V×1%=1.2V,VO=120V,DTs=9.1μs,設負載電阻R=200Ω,代入式(9)可得:

   

    考慮在輸出負載瞬時變化時能安全運行,可選用500μF/200V低ESR的電容器。

    選用低損耗的MOSFET是提高升壓變換器效率的關鍵一環(huán)。目前快捷公司推出的新一代MOSFET—QFET系列產(chǎn)品,則具有低損耗特征。<

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