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Vishay Siliconix TrenchFET®功率MOSFET榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎
發(fā)表于：12/20/2011 6:20:50 PM
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科銳推出芯片型碳化硅功率器件助力高效電力電子模組
發(fā)表于：12/16/2011 5:44:58 PM
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飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護(hù)設(shè)計解決方案能夠應(yīng)對空間和效率挑戰(zhàn)
發(fā)表于：12/14/2011 1:09:10 PM
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TITPS846216ADC-DC總體電源解決方案
發(fā)表于：12/12/2011 12:00:00 AM
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低壓超級接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能
發(fā)表于：12/12/2011 12:00:00 AM
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中電壓屏蔽柵極PowerTrenchMOSFET在高比率升壓DC-DC轉(zhuǎn)換中用于側(cè)光式LED電視背光照明
發(fā)表于：12/7/2011 12:00:00 AM
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IR為易受成本影響的多相位應(yīng)用推出IR3553 40A PowIRstage以最小尺寸實(shí)現(xiàn)高電流及高效率
發(fā)表于：12/6/2011 2:17:50 PM
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采用UBA2025功率Ic的23w節(jié)能燈鎮(zhèn)流器
發(fā)表于：12/6/2011 12:00:00 AM
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究
發(fā)表于：11/30/2011 12:00:00 AM
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基于混合SET/MOSFET的比較器
發(fā)表于：11/30/2011 12:00:00 AM
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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
發(fā)表于：11/28/2011 4:02:48 PM
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MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計及應(yīng)用
發(fā)表于：11/24/2011 12:00:00 AM
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為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET
發(fā)表于：11/17/2011 12:00:00 AM
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
發(fā)表于：11/16/2011 4:24:59 PM
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世界首家！羅姆開發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊
發(fā)表于：11/16/2011 4:19:21 PM
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雙輸出同步降壓型控制器在 2MHz 頻率下以高達(dá) 24VIN 產(chǎn)生 1.5VOUT
發(fā)表于：11/15/2011 2:54:41 PM
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使用隔離式半橋驅(qū)動器的H電橋驅(qū)動電路(CN0196)
發(fā)表于：11/14/2011 4:52:36 PM
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飛兆半導(dǎo)體推出在線設(shè)計和模擬工具，可在數(shù)分鐘內(nèi)提供完整的反激式設(shè)計
發(fā)表于：11/3/2011 3:21:37 PM
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軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容討論研究
發(fā)表于：11/2/2011 12:00:00 AM
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理解功率 MOSFET 的電流
發(fā)表于：11/1/2011 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的可用于國防、航太應(yīng)用的N溝道功率MOSFET
發(fā)表于：10/31/2011 1:40:19 PM
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分析MOSFET功耗產(chǎn)生機(jī)制，提高同步整流效率
發(fā)表于：10/31/2011 12:00:00 AM
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利用運(yùn)算放大器ADA4505-2、并聯(lián)基準(zhǔn)電壓源ADR1581和開關(guān)ADG1636實(shí)現(xiàn)精密脈搏血氧儀LED的電流測量
發(fā)表于：10/28/2011 10:07:56 AM
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Intersil的2.5A降壓穩(wěn)壓器可在汽車‘冷啟動’時工作
發(fā)表于：10/27/2011 1:45:48 PM
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如何為電源選擇正確的工作頻率
發(fā)表于：10/27/2011 12:00:00 AM
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MOSFET柵漏電流噪聲分析
發(fā)表于：10/26/2011 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix 再次刷新業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET記錄
發(fā)表于：10/20/2011 3:10:31 PM
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德州儀器推出兩款相位可調(diào)光離線 LED 照明驅(qū)動器
發(fā)表于：10/19/2011 3:50:26 PM
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恩智浦宣布推出針對非調(diào)光LED燈泡的GreenChip解決方案
發(fā)表于：10/12/2011 3:08:18 PM
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新型MOSFET在升壓變換器中減少開關(guān)損耗的解決方案
發(fā)表于：10/12/2011 12:00:00 AM
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