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IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列

2011-05-24
關鍵詞: IR WideLead MOSFET

  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列,與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比,可減少 50% 引線電阻,并提高 30% 電流。

  這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導通電阻 (Rds(on)) 的通用大負荷/高功率通孔應用,內(nèi)燃機 (ICE) 汽車電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開關,以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用 IR 先進的硅和封裝技術,在顯著提高性能的同時可與現(xiàn)有的設計標準相匹配。

  在標準 TO-262 通孔封裝中,除了 MOSFET 導通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ,大大減少了引線中的傳導損耗和熱量,在特定的工作溫度下,比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評估,在直流電為 40A 和 60A 的條件下,WideLead 引線溫度比標準 TO-262分別低 30% 和 39%。此外,隨著其它封裝技術的提高,WideLead 比標準 TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導通電阻。

  IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新型 WideLead TO-262 封裝的設計靈感來自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,以及傳統(tǒng) TO-262 封裝的各種局限性。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時,大大降低了引線中的傳導損耗和自身熱量,從而為汽車應用提供了一個堅固可靠的解決方案。”

  所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。

  新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的。它環(huán)保、無鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格

器件編號

封裝

V(BR)DSS (V)

10VGS時的

最大導通電阻 ()

TC 25°C時的ID 最大值 (A)

10VGS 時的

QG 典型值(nC)

AUIRF1324WL

TO-262WL

24

1.3

240

120

AUIRF3004WL

TO-262WL

40

1.4

240

160

IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列

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