《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電源技術(shù) > 新品快遞 > IR 推出優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組, 適合高功率密度和高效率 DC-DC 應(yīng)用

IR 推出優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組, 適合高功率密度和高效率 DC-DC 應(yīng)用

2011-05-03
作者:IR

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET®2 功率MOSFET芯片組,適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力電動(dòng)車中的DC-DC應(yīng)用。

    新型40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含AUIRL7732S2 MOSFET 和AUIRL7736M2 MOSFET,有助于最大限度減少DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應(yīng)用,如泵和風(fēng)扇的變頻驅(qū)動(dòng)器,以及替代接線盒應(yīng)用中的繼電器。

    IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“DirectFET2 功率封裝提供了低電阻及低于D2Pak 10 倍的寄生電感,從而保證優(yōu)良的高頻開(kāi)關(guān)性能,減少波形振鈴,而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小。另外,新型車用DirectFET2 芯片組還具備雙面冷卻和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),為DC-DC 轉(zhuǎn)換提供了理想的解決方案。”

    AUIRL7732S2 邏輯電平MOSFET 具備低柵極電荷(Qg)的特點(diǎn),PCB 占用空間比采用SO-8 封裝小38%,使其非常適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器中的控制MOSFET 位置。AUIRL7736M2 MOSFET 適用于同步開(kāi)關(guān)位置,具有低導(dǎo)通電阻,PCB大小與5x6 PQFN 或SO-8 封裝一致。AUIRL7732S2 和AUIRL7736M2的低電感可以在更高頻率條件下實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)MOSFET 更好的開(kāi)關(guān)性能。

    車用DirectFET2 產(chǎn)品線基于多年的研究與開(kāi)發(fā),旨在開(kāi)發(fā)出一個(gè)專為汽車應(yīng)用,且立足于高度可靠、成熟的消費(fèi)級(jí)DirectFET 產(chǎn)品的產(chǎn)品平臺(tái)。

    新器件符合AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 。

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。