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Vishay Siliconix 推出工作頻率超過1MHz的高效集成DrMOS解決方案

采用低外形PowerPAK® MLP 6x6封裝的集成解決方案包含了高邊和低邊功率MOSFET、驅(qū)動IC和自舉二極管
2011-05-10
作者:Vishay

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。
 
  器件的工作頻率超過1MHz,效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強(qiáng)型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對服務(wù)器和桌面電腦、圖形卡、工作站、游戲機(jī)和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器的DrMOS 4.0標(biāo)準(zhǔn)。
 
  SiC779CD的先進(jìn)柵極驅(qū)動IC可接收來自VR控制器的一個(gè)PWM輸入,并把輸入轉(zhuǎn)換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅(qū)動信號。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器,經(jīng)過特殊設(shè)計(jì),可支持具有三態(tài)PWM輸出函數(shù)的控制器。
   
  調(diào)節(jié)器可使用3V~16V的輸入電壓進(jìn)行工作,最高可輸出40A的連續(xù)電流。集成的功率MOSFET為0.8V~2.0V的輸出電壓進(jìn)行了優(yōu)化,標(biāo)稱輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應(yīng)用提供非常高的功率。
  
  器件的驅(qū)動IC具有能自動偵測輕負(fù)載情況的電路,能自動開啟系統(tǒng)中為在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高效率而設(shè)計(jì)的跳頻模式工作(SMOD)。主動式失效時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高在所有負(fù)載點(diǎn)上的效率。保護(hù)功能包括UVLO、擊穿保護(hù),在結(jié)溫過高時(shí),熱告警功能可對系統(tǒng)發(fā)出報(bào)警信號。
  
  在SiC779CD里集成的驅(qū)動IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗,減小與高頻分立功率級相關(guān)的寄生阻抗。設(shè)計(jì)者可以為高頻開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化,改善瞬態(tài)響應(yīng),節(jié)約輸出濾波器元件的成本,在多相Vcore應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度。
  
  器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。
  
  SiC779CD現(xiàn)可提供樣品,將在2011年6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周。
 

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