美光相關(guān)文章(381篇)

長江存儲(chǔ)起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:38
消息稱美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能
發(fā)表于：2024/6/20 8:35:40
HBM訂單2025年已預(yù)訂一空
發(fā)表于：2024/6/19 8:30:35
韓國專利管理企業(yè)Mimir IP起訴美光索賠34.92億元人民幣
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:45
淺析HBM五大關(guān)鍵門檻
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:25
美國芯片制造業(yè)迎來歷史性投資，狂砸資金新建工廠
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
HBM供不應(yīng)求美光廣島新廠2027年量產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:13
美光GDDR7內(nèi)存已正式送樣
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:06
美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅
發(fā)表于：2024/6/3 11:24:24
NAND Flash開始邁向300層
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:15
美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠
發(fā)表于：2024/5/28 8:54:09
美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金
發(fā)表于：2024/5/27 8:50:37
美光在同存儲(chǔ)企業(yè)Netlist的專利訴訟中敗訴
發(fā)表于：2024/5/24 14:31:59
美光：已基本完成2025年HBM內(nèi)存供應(yīng)談判
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:21
機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
發(fā)表于：2024/5/21 8:50:16
HBM4內(nèi)存競爭已達(dá)白熱化
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:14
汽車存儲(chǔ)趨向集中化，美光四端口SSD引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
發(fā)表于：2024/5/13 9:47:21
美光率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/5/9 16:52:04
美光印度封測(cè)工廠將于2025上半年開始出貨
發(fā)表于：2024/5/7 8:50:14
美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/4/29 10:01:18
美光獲得美國至多61.4億美元直接補(bǔ)貼和75億美元貸款
發(fā)表于：2024/4/26 8:59:35
美光下周有望獲批超60億美元芯片法案撥款
發(fā)表于：2024/4/19 9:00:34
美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存
發(fā)表于：2024/4/18 8:52:54
美光推出全球首款四端口 SSD
發(fā)表于：2024/4/10 17:10:00
美光計(jì)劃二季度針對(duì)DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：2024/4/9 23:23:21
美光投資43億元擴(kuò)建西安封裝和測(cè)試工廠
發(fā)表于：2024/3/28 9:15:05
美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊
發(fā)表于：2024/3/25 8:59:05
美光預(yù)估AI時(shí)代旗艦手機(jī)DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:31
美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:19
消息稱HBM4標(biāo)準(zhǔn)放寬三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/3/11 9:00:00

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