美光 相關(guān)文章(374篇)
-
美光GDDR7內(nèi)存已正式送樣
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:06
-
美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅
發(fā)表于：2024/6/3 11:24:24
-
NAND Flash開始邁向300層
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:15
-
美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠
發(fā)表于：2024/5/28 8:54:09
-
美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金
發(fā)表于：2024/5/27 8:50:37
-
美光在同存儲(chǔ)企業(yè)Netlist的專利訴訟中敗訴
發(fā)表于：2024/5/24 14:31:59
-
美光：已基本完成2025年HBM內(nèi)存供應(yīng)談判
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:21
-
機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
發(fā)表于：2024/5/21 8:50:16
-
HBM4內(nèi)存競爭已達(dá)白熱化
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:14
-
汽車存儲(chǔ)趨向集中化，美光四端口SSD引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
發(fā)表于：2024/5/13 9:47:21
-
美光率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/5/9 16:52:04
-
美光印度封測(cè)工廠將于2025上半年開始出貨
發(fā)表于：2024/5/7 8:50:14
-
美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/4/29 10:01:18
-
美光獲得美國至多61.4億美元直接補(bǔ)貼和75億美元貸款
發(fā)表于：2024/4/26 8:59:35
-
美光下周有望獲批超60億美元芯片法案撥款
發(fā)表于：2024/4/19 9:00:34
-
美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存
發(fā)表于：2024/4/18 8:52:54
-
美光推出全球首款四端口 SSD
發(fā)表于：2024/4/10 17:10:00
-
美光計(jì)劃二季度針對(duì)DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：2024/4/9 23:23:21
-
美光投資43億元擴(kuò)建西安封裝和測(cè)試工廠
發(fā)表于：2024/3/28 9:15:05
-
美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊
發(fā)表于：2024/3/25 8:59:05
-
美光預(yù)估AI時(shí)代旗艦手機(jī)DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:31
-
美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:19
-
消息稱HBM4標(biāo)準(zhǔn)放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/3/11 9:00:00
-
美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：2024/3/6 9:00:46
-
南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:28
-
美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS
發(fā)表于：2024/2/29 17:02:57
-
美國法院裁定：福建晉華“不存在經(jīng)濟(jì)間諜活動(dòng)”
發(fā)表于：2024/2/29 9:30:00
-
美光推出緊湊封裝型UFS 4.0
發(fā)表于：2024/2/29 9:30:00
-
美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機(jī)存儲(chǔ)芯片
發(fā)表于：2024/2/28 9:30:17
-
美光宣布量產(chǎn)24GB的HBM3E，將用于英偉達(dá)H200
發(fā)表于：2024/2/27 10:22:30
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2