美光相關(guān)文章(381篇)

美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：2024/3/6 9:00:46
南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:28
美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS
發(fā)表于：2024/2/29 17:02:57
美國(guó)法院裁定：福建晉華“不存在經(jīng)濟(jì)間諜活動(dòng)”
發(fā)表于：2024/2/29 9:30:00
美光推出緊湊封裝型UFS 4.0
發(fā)表于：2024/2/29 9:30:00
美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機(jī)存儲(chǔ)芯片
發(fā)表于：2024/2/28 9:30:17
美光宣布量產(chǎn)24GB的HBM3E，將用于英偉達(dá)H200
發(fā)表于：2024/2/27 10:22:30
HBM供不應(yīng)求：SK海力士售罄！美光售罄！
發(fā)表于：2024/2/26 10:03:03
1c納米內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)：三星計(jì)劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料
發(fā)表于：2024/2/4 10:21:00
三星宣布開(kāi)發(fā)280層QLC閃存：M.2 SSD可達(dá)16TB！
發(fā)表于：2024/1/30 9:42:49
美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊
發(fā)表于：2024/1/19 9:53:00
消息稱英偉達(dá)已向SK海力士和美光預(yù)購(gòu)大量HBM3內(nèi)存
發(fā)表于：2024/1/4 10:39:10
消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價(jià)格已上調(diào) 15%-20%
發(fā)表于：2024/1/3 11:48:30
一文讀懂：美光、晉華握手言和，“存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)”劇終
發(fā)表于：2023/12/28 16:39:35
涉專利侵權(quán)！長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光！
發(fā)表于：2023/11/13 21:40:46
美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá)7,200MT/s
發(fā)表于：2023/10/27 20:04:46
“美光被限”后，再看我國(guó)存儲(chǔ)IC
發(fā)表于：2023/5/24 9:45:51
突發(fā)！美光在華銷售產(chǎn)品沒(méi)通過(guò)審查（附事件梳理）
發(fā)表于：2023/5/22 11:54:46
安全審查和市場(chǎng)衰退雙至美光還為芯片法案沖鋒嗎？
發(fā)表于：2023/4/4 10:11:00
網(wǎng)信辦：對(duì)美光在華銷售產(chǎn)品實(shí)施安全審查！揭露美光背后的利益鏈和幕后黑手
發(fā)表于：2023/4/3 11:21:29
美光 1.5TB microSD 卡開(kāi)始上市，采用 176 層 NAND 閃存
發(fā)表于：2023/2/8 6:31:35
美光 DDR5 為第四代英特爾® 至強(qiáng)® 可擴(kuò)展處理器家族帶來(lái)更強(qiáng)的性能和可靠性
發(fā)表于：2023/1/18 10:14:08
美光與AMD宣布全新技術(shù)合作
發(fā)表于：2022/12/21 7:35:36
美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計(jì)算工作負(fù)載
發(fā)表于：2022/12/20 8:27:00
美光開(kāi)始出貨業(yè)界首款采用 232 層 NAND 技術(shù)的消費(fèi)級(jí) SSD
發(fā)表于：2022/12/8 9:29:12
能效內(nèi)存密度雙提升，美光在日本量產(chǎn)1βDRAM
發(fā)表于：2022/11/29 22:41:04
半導(dǎo)體行業(yè)資本支出將出現(xiàn)自2008年以來(lái)的最大降幅
發(fā)表于：2022/11/28 6:58:47
美光預(yù)計(jì) 2023 年將減少內(nèi)存芯片供應(yīng)
發(fā)表于：2022/11/18 6:35:02
芯動(dòng)而來(lái)！美光發(fā)布新型芯片、華為公布超導(dǎo)量子芯片專利
發(fā)表于：2022/11/5 22:49:15
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
發(fā)表于：2022/11/3 10:52:00

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