美光 相關(guān)文章(388篇)
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美光推出全球首款四端口 SSD
發(fā)表于：2024/4/10 17:10:00
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美光計劃二季度針對DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：2024/4/9 23:23:21
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美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠
發(fā)表于：2024/3/28 9:15:05
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美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊
發(fā)表于：2024/3/25 8:59:05
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美光預(yù)估AI時代旗艦手機DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:31
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美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:19
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消息稱HBM4標(biāo)準(zhǔn)放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/3/11 9:00:00
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美光計劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：2024/3/6 9:00:46
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南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:28
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美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS
發(fā)表于：2024/2/29 17:02:57
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美國法院裁定：福建晉華“不存在經(jīng)濟間諜活動”
發(fā)表于：2024/2/29 9:30:00
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美光推出緊湊封裝型UFS 4.0
發(fā)表于：2024/2/29 9:30:00
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美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機存儲芯片
發(fā)表于：2024/2/28 9:30:17
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美光宣布量產(chǎn)24GB的HBM3E，將用于英偉達(dá)H200
發(fā)表于：2024/2/27 10:22:30
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HBM供不應(yīng)求：SK海力士售罄！美光售罄！
發(fā)表于：2024/2/26 10:03:03
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1c納米內(nèi)存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料
發(fā)表于：2024/2/4 10:21:00
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三星宣布開發(fā)280層QLC閃存：M.2 SSD可達(dá)16TB！
發(fā)表于：2024/1/30 9:42:49
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊
發(fā)表于：2024/1/19 9:53:00
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消息稱英偉達(dá)已向SK海力士和美光預(yù)購大量HBM3內(nèi)存
發(fā)表于：2024/1/4 10:39:10
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消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價格已上調(diào) 15%-20%
發(fā)表于：2024/1/3 11:48:30
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一文讀懂：美光、晉華握手言和，“存儲芯片戰(zhàn)”劇終
發(fā)表于：2023/12/28 16:39:35
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涉專利侵權(quán)！長江存儲在美起訴美光！
發(fā)表于：2023/11/13 21:40:46
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美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá)7,200MT/s
發(fā)表于：2023/10/27 20:04:46
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“美光被限”后，再看我國存儲IC
發(fā)表于：2023/5/24 9:45:51
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突發(fā)！美光在華銷售產(chǎn)品沒通過審查（附事件梳理）
發(fā)表于：2023/5/22 11:54:46
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安全審查和市場衰退雙至 美光還為芯片法案沖鋒嗎？
發(fā)表于：2023/4/4 10:11:00
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網(wǎng)信辦：對美光在華銷售產(chǎn)品實施安全審查！揭露美光背后的利益鏈和幕后黑手
發(fā)表于：2023/4/3 11:21:29
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美光 1.5TB microSD 卡開始上市，采用 176 層 NAND 閃存
發(fā)表于：2023/2/8 6:31:35
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美光 DDR5 為第四代英特爾® 至強® 可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性
發(fā)表于：2023/1/18 10:14:08
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作
發(fā)表于：2022/12/21 7:35:36
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