今年2月下旬日,DRAM大廠美光科技(Micron Technology)宣布,它已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)售家向合作伙伴提供基于極紫外光(EUV)光刻技術(shù)的1γ (1-gamma)制程的第六代 (10nm 級) DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品的公司。不過,美光并未透露其1γ制程使用多少層EUV光刻。
根據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道,美光送樣的1γ DDR5內(nèi)存芯片,僅僅只用一層EUV光刻,這是由于美光希望通過減少EUV使用,以加速量產(chǎn)先進制程DRAM,并降低成本。
報道稱,美光選擇減少依賴EUV,因而更多的關(guān)鍵層還是基于成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)制程。ASML數(shù)據(jù)顯示,下代深紫外光刻(DUV)系統(tǒng)為193nm波長氬氟激光,可達成38nm特征尺寸圖案化。雖然EUV的13.5nm波長精確度更高,但成本也更高。
美光表示,EUV技術(shù)未完全穩(wěn)定,僅必要時使用。短期可能提升生產(chǎn)速度,但長期可能會影響芯片良率和性能。
相比之下,韓國DRAM大廠三星和SK海力士DRAM目前則更依賴于EUV制程。目前三星2020年起就采用EUV制程來生產(chǎn)DRAM,其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層。SK海力士則是于2021年導(dǎo)入了EUV制程,下代1C 10nm級DRAM也是類似策略。
雖然,美光減少對于EUV光刻的依賴,短期內(nèi)可節(jié)省成本,但長期可能會面臨技術(shù)瓶頸。市場人士指出,ArFi制程需更多步驟,可能導(dǎo)致良率下降,EUV層數(shù)增加,超過三層后技術(shù)難度也顯著增加。