基于表面扫描法的SiP器件近场电磁辐射测试方法
所屬分類：技术论文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1121 K
標(biāo)簽： 系统级封装 电磁辐射 表面扫描法
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文檔介紹：在近场电磁辐射测试研究中，还没有一套完整的面向单个元器件的测试方法。针对此问题，基于表面扫描法对SiP器件的近场电磁辐射测试方法进行研究。第一，利用X光研究SiP器件内部结构并进行干扰源分析；第二，完成硬件、软件层搭建使器件进入工作状态；第三，搭建近场测试系统，对工作中的器件实施近场测试。在案例研究中，所用SiP器件内部封装外围器件和作为主要干扰源的处理器。近场测试结果显示，PCB上辐射主要集中在SiP器件周围，器件近场辐射集中在处理器芯片处。案例研究的结果说明这种测试方法可以有效测量SiP器件的近场电磁辐射，并对器件内干扰源进行分析。
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