基于表面掃描法的SiP器件近場(chǎng)電磁輻射測(cè)試方法
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1121 K
標(biāo)簽： 系統(tǒng)級(jí)封裝 電磁輻射 表面掃描法
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文檔介紹：在近場(chǎng)電磁輻射測(cè)試研究中，還沒(méi)有一套完整的面向單個(gè)元器件的測(cè)試方法。針對(duì)此問(wèn)題，基于表面掃描法對(duì)SiP器件的近場(chǎng)電磁輻射測(cè)試方法進(jìn)行研究。第一，利用X光研究SiP器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)并進(jìn)行干擾源分析；第二，完成硬件、軟件層搭建使器件進(jìn)入工作狀態(tài)；第三，搭建近場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)工作中的器件實(shí)施近場(chǎng)測(cè)試。在案例研究中，所用SiP器件內(nèi)部封裝外圍器件和作為主要干擾源的處理器。近場(chǎng)測(cè)試結(jié)果顯示，PCB上輻射主要集中在SiP器件周?chē)?，器件近?chǎng)輻射集中在處理器芯片處。案例研究的結(jié)果說(shuō)明這種測(cè)試方法可以有效測(cè)量SiP器件的近場(chǎng)電磁輻射，并對(duì)器件內(nèi)干擾源進(jìn)行分析。
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