FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>746 K
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FinFET 器件結(jié)構(gòu)
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文檔介紹：隨著集成電路技術(shù)日新月異的發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道縮短至22 nm以后，傳統(tǒng)平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管不再滿(mǎn)足發(fā)展的需求。FinFET是一種新型的三維器件，由于良好的性能目前被廣泛研究應(yīng)用。主要介紹了FinFET器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)以及基礎(chǔ)工藝流程，以及在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上所發(fā)展起來(lái)的一些改良后的FinFET器件結(jié)構(gòu)。最后結(jié)合實(shí)際對(duì)未來(lái)FinFET器件結(jié)構(gòu)的發(fā)展寄予展望。
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