FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：746 K
標簽： 場效應晶體管 FinFET 器件結(jié)構(gòu)
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：隨著集成電路技術(shù)日新月異的發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，當場效應晶體管溝道縮短至22 nm以后，傳統(tǒng)平面場效應晶體管不再滿足發(fā)展的需求。FinFET是一種新型的三維器件，由于良好的性能目前被廣泛研究應用。主要介紹了FinFET器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)以及基礎(chǔ)工藝流程，以及在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上所發(fā)展起來的一些改良后的FinFET器件結(jié)構(gòu)。最后結(jié)合實際對未來FinFET器件結(jié)構(gòu)的發(fā)展寄予展望。
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。