采用平面分柵結構的高增益寬帶射頻VDMOS研制
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：843 K
標簽： 射頻 場效應晶體管 分柵
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文檔介紹：硅基射頻場效應晶體管具有線性度好、驅動電路簡單、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等優(yōu)點，在HF、VHF和UHF波段具有廣闊的應用前景。針對射頻場效應晶體管寬帶、高增益和高效率的應用需求，基于標準平面MOS工藝，采用平面分柵(split gate)結構，通過優(yōu)化結構和工藝參數(shù)研制出一款工作電壓為28 V的硅基射頻垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管(VDMOS)。該器件在30~90 MHz頻段范圍內，小信號增益大于19 dB，在60 MHz頻點下連續(xù)波輸出功率可以達到87 W，功率附加效率達72.4 %，具有優(yōu)異的射頻性能。
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