MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
所屬分類:技術(shù)論文
上傳者:serena
標(biāo)簽: MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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文檔介紹: 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配;設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單,實(shí)用性強(qiáng),響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明,該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
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