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亞馬遜攜手SK部署6萬(wàn)顆AI GPU搭建韓國(guó)最大AI數(shù)據(jù)中心

6月17日消息,據(jù)外媒CNBC報(bào)道,云服務(wù)大廠亞馬遜AWS攜手韓國(guó)第二大財(cái)閥SK集團(tuán),以及SK集團(tuán)旗下子公司SK 海力士、SK 電訊、SK 寬帶等,計(jì)劃在韓國(guó)蔚山打造韓國(guó)最大AI數(shù)據(jù)中心,目標(biāo)電力容量達(dá)103兆瓦,并將部署高達(dá)6萬(wàn)顆GPU,對(duì)于韓國(guó)加速推進(jìn)AI發(fā)展具有標(biāo)志性意義。

發(fā)表于:6/18/2025 8:57:22 AM

KSC PF輕觸開關(guān)提供灌封友好型解決方案

伊利諾伊州羅斯蒙特,2025年6月17日-Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力,今天宣布推出用于表面貼裝技術(shù)(SMT)的KSC PF系列密封輕觸開關(guān)。

發(fā)表于:6/17/2025 3:21:00 PM

華為四芯片封裝技術(shù)新專利曝光

6月16日消息,據(jù)Tomshardware報(bào)道,華為近期已申請(qǐng)一項(xiàng)“四芯片”(quad-chiplet)封裝設(shè)計(jì)專利,可能用于下一代AI芯片昇騰910D。

發(fā)表于:6/17/2025 1:41:04 PM

三星獲得AMD MI350系列HBM3E訂單

6月16日消息,據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea 報(bào)導(dǎo),處理器大廠AMD于上周發(fā)布的全新人工智能(AI)芯片MI350 系列將搭載三星電子的12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存。這對(duì)三星電子來(lái)是個(gè)好消息,因?yàn)樵摴驹谟ミ_(dá)的HBM 認(rèn)證方面一直遭遇挫折。此外,AMD 將于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也對(duì)三星的HBM4 供應(yīng)有所期待。

發(fā)表于:6/17/2025 1:37:03 PM

臺(tái)積電2nm制程良率已突破60%

臺(tái)積電正加快步伐向2nm芯片時(shí)代邁進(jìn)。 根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》最新報(bào)道,這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%,不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻,更顯著領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的40%良率水平,顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。

發(fā)表于:6/17/2025 1:30:57 PM

SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)

6 月 16 日消息,韓國(guó)媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 12 日?qǐng)?bào)道稱,在 HBM 市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm(第 6 代 10nm 級(jí))DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購(gòu)節(jié)奏,暫緩新技術(shù)應(yīng)用。

發(fā)表于:6/17/2025 1:22:57 PM

臺(tái)積電美國(guó)工廠已為蘋果等制造出首批芯片晶圓

消息稱臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州工廠迎來(lái)里程碑:已為蘋果等制造出首批芯片晶圓

發(fā)表于:6/17/2025 1:13:57 PM

三星半導(dǎo)體部門收緊ChatGPT訪問(wèn)權(quán)限

業(yè)內(nèi)人士稱,三星DS部門于6月12日通知員工,使用ChatGPT等生成式AI服務(wù)“需要獲得單獨(dú)批準(zhǔn)”。此前,員工在特定條件下可以有限度地使用ChatGPT,但現(xiàn)在需要事先獲得授權(quán)才能使用該人工智能工具。

發(fā)表于:6/17/2025 1:06:56 PM

Cadence與三星晶圓代工就SF2P等制程達(dá)成新多年期IP協(xié)議

6 月 17 日消息,半導(dǎo)體IP 大廠 Cadence 楷登電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日宣布擴(kuò)大同三星晶圓代工 (Samsung Foundry) 的合作。雙方簽署了新的多年期協(xié)議,Cadence 的一系列內(nèi)存和接口 IP 將被引入到三星的 SF4X、SF5A 和 SF2P 等制程節(jié)點(diǎn)中。

發(fā)表于:6/17/2025 1:00:21 PM

消息稱三星改進(jìn)版HBM3E 8Hi內(nèi)存通過(guò)博通測(cè)試

消息稱三星改進(jìn)版 HBM3E 8Hi 內(nèi)存通過(guò)博通測(cè)試,有望打入 ASIC 供應(yīng)鏈

發(fā)表于:6/17/2025 12:16:00 PM

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