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業(yè)界動態(tài)

三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年

2月19日，韓國首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護產(chǎn)業(yè)技術(shù)相關(guān)法律》為由，對因涉嫌向中國企業(yè)泄露韓國核心半導(dǎo)體技術(shù)的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個月有期徒刑和1年6個月有期徒刑。

發(fā)表于：2025/2/20 9:35:37

英偉達28%營收來自新加坡但實際商品交付僅1%

2月19日消息，據(jù)彭博社報道，在今年1月底美國展開對于DeepSeek 是否通過新加坡的中介違規(guī)獲得對華禁售的英偉達（Nvidia） AI GPU的調(diào)查之后，新加坡貿(mào)易和工業(yè)部第二部長 Tan See Land 近日發(fā)布聲明稱，英偉達在新加坡的所有銷售額中只有約1%產(chǎn)品真正進入了該國。

發(fā)表于：2025/2/20 9:28:35

龍芯新一代8核桌面處理器3B6600上半年流片

2月17日，龍芯中科披露的投資者關(guān)系活動記錄表顯示，該公司正在研制下一代桌面芯片3B6600。根據(jù)此前官方公開的資料，龍芯3B6600將繼續(xù)使用成熟工藝，架構(gòu)內(nèi)核升級為全新的LA864，共有八個核心，同頻性能相比LA664架構(gòu)的龍芯3A6000大幅提升30%左右，躋身世界領(lǐng)先行列。龍芯3B6600的主頻預(yù)計仍然是2.5GHz，但是通過單核睿頻技術(shù)，一般可以再提升20%，將有望達到3.0GHz。

發(fā)表于：2025/2/20 9:15:33

SEMI：2024年全球半導(dǎo)體硅片營收115億美元

2月19日消息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）統(tǒng)計，2024年全球半導(dǎo)體硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）出貨量達1.2266億平方英寸（million square inch，MSI），同比下滑減2.7%，整體銷售額達115億美元，同比減少6.5%，創(chuàng)4年來新低。

發(fā)表于：2025/2/20 9:08:05

Omdia：是無線接入網(wǎng)RAN市場衰退期結(jié)束

2月19日晚間消息，Omdia最新研究結(jié)果顯示，華為仍是無線接入網(wǎng)（RAN）領(lǐng)域的第一名，該市場去年價值約350億美元。 2023年，華為擁有全球RAN市場31.3%的份額。去年，由于“更有利的地區(qū)組合以及新興市場的市場份額增加”，這一比例有所增長，Omdia的首席分析師雷米·帕斯卡（Remy Pascal）表示。

發(fā)表于：2025/2/20 8:59:15

大聯(lián)大品佳集團推出基于達發(fā)科技（Airoha）產(chǎn)品的LE Audio耳機方案

　　2025年2月19日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于達發(fā)科技（Airoha）AB1571D、AB1571AM和AB1565AM產(chǎn)品的LE Audio耳機方案。

發(fā)表于：2025/2/19 23:35:14

第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

　　本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅（SiC） MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。

發(fā)表于：2025/2/19 22:35:00

瑞薩推出RA4L1 MCU，超低功耗、集成電容式觸控、段碼LCD和強大安全功能

　　2025 年 2 月 19 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RA4L1微控制器（MCU）產(chǎn)品群，包含14款集成超低功耗、先進安全功能和段碼LCD支持的全新產(chǎn)品?；谥С諸rustZone的80MHz Arm Cortex-M33處理器，新款MCU在性能、功能和節(jié)能方面達到了行業(yè)先進水平，為水表、智能鎖、物聯(lián)網(wǎng)傳感器應(yīng)用等領(lǐng)域的設(shè)計人員提供更加卓越的解決方案選擇。

發(fā)表于：2025/2/19 22:19:29

新款R&S SMW200A 和R&S SMM100A 矢量信號發(fā)生器的EVM 性能顯著提升

?　　羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）升級了業(yè)界領(lǐng)先的R&S SMW200A矢量信號發(fā)生器及其同系列中端產(chǎn)品R&S SMM100A。升級后的R&S SMW200A在誤差矢量幅度（EVM）性能方面有了大幅提升，成為5G NR FR3 研發(fā)測試和高要求射頻應(yīng)用（如功放測試）的理想之選。該儀器還添加了射頻線性化軟件新選件，通過數(shù)字預(yù)失真來優(yōu)化高輸出功率下的EVM。同時，R&S SMM100A也進行了升級，提升了 EVM性能。

發(fā)表于：2025/2/19 21:54:30

CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長

氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。

發(fā)表于：2025/2/19 14:07:40

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