頭條 基于ESP32嵌入式Web服務(wù)器的手機化儀表設(shè)計 隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，單片機性能升級且功能變得豐富，利用單片機創(chuàng)建Web服務(wù)器，使用瀏覽器作為客戶端進行訪問變得可行。借鑒其思路，提出一種嵌入式Web服務(wù)器＋瀏覽器架構(gòu)的無軟件化手機儀表設(shè)計方法。先用JavaScript語言將常用的手機儀表元素設(shè)計為一個能嵌入到單片機存儲系統(tǒng)中的50 KB大小的庫，然后在其基礎(chǔ)上形成C風(fēng)格手機儀表HTML網(wǎng)頁生成函數(shù)，最后再通過單片機Web服務(wù)器將封裝后的C風(fēng)格手機儀表HTML網(wǎng)頁生成函數(shù)轉(zhuǎn)換為手機瀏覽器支持的HTML網(wǎng)頁進行顯示和用戶操作。該設(shè)計實現(xiàn)將儀表軟件安裝在下位機，客戶端零安裝、零配置訪問儀表界面。 最新資訊 叫板英偉達的GPU 英特爾信心從何來 眾所周知，當(dāng)前幾乎所有主流的深度學(xué)習(xí)都在使用英偉達的GPU（圖形處理器）。這是由于深度學(xué)習(xí)是需要訓(xùn)練的，訓(xùn)練所需的計算量大的驚人，用傳統(tǒng)的CPU計算需要漫長的時間，而GPU善于并行處理數(shù)據(jù)，能很大程度上減少深度學(xué)習(xí)訓(xùn)練方面的時間。于是，深度學(xué)習(xí)成為促成GPU發(fā)展的大好時機，原來在圖像處理領(lǐng)域擁有深厚積累的硬件制造商英偉達，超過傳統(tǒng)的計算廠商英特爾一躍成為這一領(lǐng)域的領(lǐng)軍者。如今，無論是國外的谷歌、Facebook，還是國內(nèi)的百度、阿里、騰訊等，無一例外地都在使用英偉達GPU開展深度學(xué)習(xí)研究，英偉達成為這一領(lǐng)域的幾乎唯一的供貨商。 發(fā)表于：2016/12/5 殺回了 10nm芯片大戰(zhàn)火爆英特爾怎能缺席 今年中旬傳出Intel退出智能手機市場的消息，就連最堅定的盟友華碩在今年發(fā)布的ZenFone手機上面也全面使用高通驍龍芯片。不過有消息稱，Intel并沒有完全放棄智能手機市場這塊大肥肉，最快會在2018年重新回歸手機芯片市場。 發(fā)表于：2016/12/5 智能手機雙攝熱 高通聯(lián)發(fā)科將再起戰(zhàn)火 智慧型手機搭載雙鏡頭正夯，有鑒于蘋果配置雙鏡頭iPhone 7 Plus全球熱銷，中國一線手機大廠競相搶推雙鏡頭手機，影像處理需求帶動手機處理器新商機，可預(yù)見2017年兩大手機晶片龍頭聯(lián)發(fā)科與高通在雙鏡頭模組上將再次廝殺，聯(lián)發(fā)科可望在客制化及價格優(yōu)勢扳回一成。 發(fā)表于：2016/12/5 專利侵權(quán)的苦頭 三星在美國輸給蘋果后在國內(nèi)又輸給了這家公司 原本有超越蘋果的趨勢，但是，先是搶發(fā)新款智能手機Galaxy Note 7 ，遭遇接連不斷的爆炸，陷入產(chǎn)品危機；后來又因在中國與國外實施差別化召回策略，遭遇國內(nèi)消費者和有關(guān)部門的聲討和約談。 發(fā)表于：2016/12/5 中國IC產(chǎn)業(yè)攀高峰 可從這五方面發(fā)力 在日前召開的“2016中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會”上，工業(yè)和信息化部電子信息司龍寒冰副處長表示，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機遇和挑戰(zhàn)并存。 發(fā)表于：2016/12/5 物聯(lián)網(wǎng)時代的紅利到底有哪些 有了Ruff，開發(fā)者到底怎么玩？對于互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)之外的讀者，Ruff所做的事情聽起來一定很抽象。但是對于開發(fā)者來說，它代表的正是將物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)“具象化”——將看起來很美，做起來很難的物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)變得簡便、易行。 發(fā)表于：2016/12/4 一種用于可穿戴式生理參數(shù)檢測的集成電路 提出了一種用于處理光電容積脈搏波信號的集成電路結(jié)構(gòu)，將主要應(yīng)用于可穿戴式多生理參數(shù)檢測，例如血壓、血氧、心率等。電路包括直流、交流分量分離電路，直流分量讀出電路，低通濾波器，以及矩形波產(chǎn)生電路。直流、交流分量分離電路由跨阻放大器和金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管-雙極晶體管（MOS-Bipolar）虛擬電阻構(gòu)成，可以實現(xiàn)0.07-0.7 Hz的高通截止頻率；低通濾波器可以實現(xiàn)16 Hz的低通截止頻率。電路采用標準0.13 nm CMOS工藝設(shè)計，電源電壓1.2 V。 發(fā)表于：2016/12/3 AM5728概述(6) 表1-1描述標識寄存器.這些標識寄存器包括數(shù)據(jù)寄存器列表在表1-2和表1-4中，這些寄存器只讀。 發(fā)表于：2016/12/3 AM5728概述(5) 3個PWM子系統(tǒng)（PWMSS），每個包含增強的高精度脈沖寬度調(diào)制器（eHRPWM），增強的捕獲（eCAP）和增強的4編碼脈沖（eQEP）模塊.實時時鐘子系統(tǒng)（RTCSS），支持4個外部喚醒輸入和一個電源使能輸出，它們都是3.3V或1.8V多電壓I/Os 發(fā)表于：2016/12/3 AM5728概述(4) 系統(tǒng)DMA控制器具有128個硬件請求，32個優(yōu)先級的邏輯通道，256x64bitFIFO在有效的通道間可動態(tài)定位.EDMA控制器支持2個同時讀和兩個同時寫物理通道，多達64個可編程邏輯通道。動態(tài)內(nèi)存管理（DMM）模塊，執(zhí)行全局地址翻譯，地址旋轉(zhuǎn)（tiling）和在兩個EMIF通道間的交織存取 發(fā)表于：2016/12/3 ?…882883884885886887888889890891…?
