1.3.11片上調(diào)試支持
片上調(diào)試支持下面的特征：
支持多處理器的調(diào)試，讓用戶控制內(nèi)嵌在器件中的多CPU核，比如：
單個或多個處理器的全局啟動調(diào)試和停止
每個處理器能產(chǎn)生觸發(fā)，這可用于改變其它處理器的執(zhí)行流程
系統(tǒng)時鐘定時和掉電
多器件的互聯(lián)
通道觸發(fā)
目標(biāo)調(diào)試，使用：IEEE1149.1（JTAG），或IEEE1149.7端口
在正常運(yùn)行模式下，功耗的降低
調(diào)試子系統(tǒng)包括：
IEEE1149.7適配器
模擬和測試控制使用通用的TAP
調(diào)試存取端口（DAP）
內(nèi)嵌的追蹤宏（ETM）
追蹤端口接口單元（EPIU）
內(nèi)嵌的追蹤緩沖（ETM）
模擬腳管理（EPM）
交叉觸發(fā)（XTRIG）
調(diào)試子系統(tǒng)還提供：
CJTAG_ADAPTER基本的掃描配置支持
ICEMelter，用于控制模擬電源域的喚醒和掉電
L3_INSTR CORE儀器互聯(lián)
OCP觀測點(diǎn)（OCP-WP）用戶監(jiān)視L3互聯(lián)交易，這發(fā)生于目標(biāo)交易屬性與用戶定義屬性匹配或外部調(diào)試事件觸發(fā)的時候。
電源管理事件分析器
時鐘管理分析器
統(tǒng)計(jì)信息收集器
1.3.12電源、復(fù)位、時鐘管理
PRCM模塊實(shí)現(xiàn)對時鐘和電源的高效控制以滿足性能要求的同時還降低電源功耗。PRCM模塊劃分成：
電源和復(fù)位管理（PRM）：
動態(tài)時鐘門控
動態(tài)調(diào)整電壓和頻率
動態(tài)電源切換
靜態(tài)泄漏管理
時鐘管理（CM），用于時鐘的產(chǎn)生和分配，減少動態(tài)功耗。
1.3.13片上內(nèi)存OCM
器件包括多達(dá)3個片上內(nèi)存控制器OCMC實(shí)例，帶ECC的關(guān)聯(lián)RAM?？偣踩萘窟_(dá)2.5MiB。
OCMC RAM可實(shí)現(xiàn)環(huán)形緩沖（要求8MiB虛擬地址空間）。
一個OCMC帶關(guān)聯(lián)ROM，容量256KiB
在喚醒域，存儲和恢復(fù)內(nèi)存/暫存。
1.3.14內(nèi)存管理
系統(tǒng)DMA控制器具有128個硬件請求，32個優(yōu)先級的邏輯通道，256x64bitFIFO在有效的通道間可動態(tài)定位.
EDMA控制器支持2個同時讀和兩個同時寫物理通道，多達(dá)64個可編程邏輯通道。
動態(tài)內(nèi)存管理（DMM）模塊，執(zhí)行全局地址翻譯，地址旋轉(zhuǎn)（tiling）和在兩個EMIF通道間的交織存取
2個內(nèi)存管理單元（MMU）具有4KiB、64HiB、1MB、16MB可編程頁尺寸和32個entries TLB
MMU1專屬于EDMA
MMU2專屬于PCIe
1.3.15外部內(nèi)存接口
兩個32bit DDR控制器（EMIF1和EMIF2），每個都具備下面特點(diǎn)：
SECDED支持32bit和16bit/窄模式
可編程尋址模式，以定義SECDED保護(hù)區(qū)域
校驗(yàn)位計(jì)算和存儲：所有SECDED保護(hù)地址區(qū)域進(jìn)行的寫操作
校驗(yàn)的驗(yàn)證：所有SECDED保護(hù)地址區(qū)域進(jìn)行的讀操作
1bit和2bit錯誤的統(tǒng)計(jì)
雙端口控制器，以實(shí)現(xiàn)不同應(yīng)用之間的高效內(nèi)存共享
每個內(nèi)存端口控制器有32bit數(shù)據(jù)通道，2個片選
每個片選支持2GiB空間，通過MPU擴(kuò)展尋址范圍，提供總共4GiB可尋址的SDRAM空間。
EMIF1控制器支持一位出錯糾正兩位出錯檢測（SECDED：single bit Error Correction and Dual Error Detection）
通用目的內(nèi)存控制器（GPMC）支持下面類型的存儲器：
異步SRAM
異步或同步NOR FLASH內(nèi)存
NAND Flash 內(nèi)存，通過錯誤定位模塊（ELM）實(shí)現(xiàn)多達(dá)16bit的ECC
Pseudo-SRAM器件。
4 SPI模塊，支持1到4尋址字節(jié)，用于SPI NOR FLASH，高達(dá)66MHz單數(shù)據(jù)速率。