頭條 全新一代北斗三號(hào)短報(bào)文通信SoC芯片發(fā)布 9月24日- 25日，第四屆北斗規(guī)模應(yīng)用國(guó)際峰會(huì)在湖南株洲隆重開(kāi)幕。華大北斗重磅發(fā)布了全新一代北斗三號(hào)短報(bào)文通信SoC芯片HD6180，并攜多款芯片與模組產(chǎn)品及豐富的芯片級(jí)解決方案。 最新資訊 中國(guó)大陸半導(dǎo)體指數(shù)報(bào)告 (02.18-02.24) 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既是資本密集、技術(shù)密集的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，又是一個(gè)高波動(dòng)性和高風(fēng)險(xiǎn)性的產(chǎn)業(yè)，及時(shí)掌握半導(dǎo)體波動(dòng)規(guī)律，作出預(yù)測(cè)乃至預(yù)警，可有效降低行業(yè)波動(dòng)帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)。 發(fā)表于：3/1/2019 Signalchip推出“印度國(guó)產(chǎn)”4G LTE和5G NR Modem芯片組 經(jīng)過(guò)八年的研究和開(kāi)發(fā)，位于班加羅爾的Signalchip終于在印度推出了首款4G/LTE和5G NR調(diào)制解調(diào)器芯片組。 發(fā)表于：3/1/2019 L4級(jí)無(wú)人駕駛公司飛步科技獲數(shù)千萬(wàn)美元Pre-A輪投資 3月1日消息，飛步科技今日宣布，獲得來(lái)自青松基金、和玉資本的數(shù)千萬(wàn)美元Pre-A輪投資。此前在2018年6月，飛步科技曾公布獲得創(chuàng)新工場(chǎng)的天使輪投資。 發(fā)表于：3/1/2019 總投資714.2億元！嘉興79個(gè)重大項(xiàng)目集中開(kāi)工 2月28日上午，浙江省舉行全省擴(kuò)大有效投資重大項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式，在全省上下吹響狠抓重大項(xiàng)目建設(shè)的“沖鋒號(hào)”。 發(fā)表于：3/1/2019 TI開(kāi)創(chuàng)業(yè)內(nèi)先河 將BAW技術(shù)應(yīng)用于時(shí)鐘諧振器 近日，德州儀器（TI）開(kāi)創(chuàng)歷史先河，創(chuàng)新性得將BAW技術(shù)應(yīng)用于諧振器，發(fā)布了兩款全新的基于BAW諧振器技術(shù)的核心產(chǎn)品。稱其非常適合應(yīng)用在下一代無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)中?？蓭椭到y(tǒng)設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)邏輯，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、簡(jiǎn)化和高性能的數(shù)據(jù)傳輸，從而可以降低潛在的整體開(kāi)發(fā)和系統(tǒng)成本。 發(fā)表于：3/1/2019 揭秘SK海力士DDR5-6400內(nèi)存細(xì)節(jié) SK海力士近日公布了第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片，頻率高達(dá)6400MHz，是現(xiàn)在多數(shù)DDR4內(nèi)存的兩倍左右，而單顆容量為16Gb(2GB)。 發(fā)表于：2/28/2019 2018年全球前十大IC設(shè)計(jì)公司排名出爐 根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新統(tǒng)計(jì)，2018年全球前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者營(yíng)收排名出爐，前三名依序?yàn)椴┩?、高通、英偉達(dá)。 發(fā)表于：2/28/2019 NVIDIA已使用臺(tái)積電5nm開(kāi)發(fā)新品，不會(huì)完全轉(zhuǎn)向三星 AMD今年推出了Radeon VII顯卡，盡管Vega架構(gòu)及不支持光追讓這款顯卡備受爭(zhēng)議，但這款顯卡在制程工藝上創(chuàng)造了記錄——因?yàn)樗装l(fā)了消費(fèi)級(jí)7nm GPU，AMD今年年中還會(huì)有更多的7nm顯卡芯片，也就是Navi系列GPU。 發(fā)表于：2/28/2019 技術(shù)突破！中企成功制備4英寸氧化鎵單晶 27日，從中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司獲悉，近日，中國(guó)電科46所經(jīng)過(guò)多年氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)探索，通過(guò)改進(jìn)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長(zhǎng)氣氛和晶體生長(zhǎng)工藝，有效解決了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中原料分解、多晶形成、晶體開(kāi)裂等問(wèn)題，采用導(dǎo)模法成功制備出高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。 發(fā)表于：2/28/2019 【大族技術(shù)講堂】半導(dǎo)體Low－K晶圓激光開(kāi)槽工藝技術(shù)方案 在半導(dǎo)體制程中，Low－K是相對(duì)于二氧化硅具有小的相對(duì)介電常數(shù)的材料（主要有SiOF，SiOC以及幾種有機(jī)Low－K材料等）；其主要應(yīng)用在0.13um及以下工藝技術(shù)中，配合銅互連工藝技術(shù)，目的是減小電路的寄生電容（Cu是為了減小寄生電阻，因其電阻率較Al小很多），從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的散熱量。 發(fā)表于：2/28/2019 ?…264265266267268269270271272273…?
