Vishay 推出新款精密薄膜MELF電阻，可減少系統(tǒng)元器件數(shù)量，節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 - 2024年12月19日 - 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的0102、0204和0207封裝薄膜MELF電阻推出提高阻值范圍的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的這三款器件的溫度系數(shù)（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差僅為 ± 0.1 %，阻值高達(dá)10?MW，滿足各種應(yīng)用高穩(wěn)定性和高可靠性的要求。

發(fā)表于：12/30/2024

Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120

　　交鑰匙觸摸控制器是將機(jī)械按鈕升級(jí)為現(xiàn)代觸摸按鈕或顯示屏的一種快速簡(jiǎn)便的方法。隨著12按鈕MTCH2120 觸摸控制器的推出，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）為設(shè)計(jì)人員提供了在用戶界面上實(shí)現(xiàn)觸摸按鈕功能的直接途徑。這款低功耗、耐水的交鑰匙觸摸器件集成了Microchip統(tǒng)一生態(tài)系統(tǒng)，使設(shè)計(jì)流程更加簡(jiǎn)便，并促進(jìn)了其他交鑰匙解決方案和基于 MCU 的觸摸實(shí)施之間的過(guò)渡。MTCH2120 是基于 I²C 的觸摸控制器系列中的首款產(chǎn)品，支持全面的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)。

發(fā)表于：12/30/2024

ICCAD 2024新趨勢(shì)：IP企業(yè)攜手為汽車和桌面等熱點(diǎn)應(yīng)用打造聯(lián)合IP解決方案

　　2024年12月11日-12日，“上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD 2024）”在上海圓滿落幕，本屆大會(huì)參與人數(shù)超過(guò)了7000人，為歷屆ICCAD大會(huì)之最，再次彰顯了我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì)和長(zhǎng)三角地區(qū)的產(chǎn)業(yè)高度聚集。在本屆大會(huì)上，國(guó)內(nèi)外硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）提供商十分活躍，與IP直接相關(guān)的分論壇就有三個(gè)全天會(huì)場(chǎng)，并吸引了大量的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)代表和投資人參會(huì)，IP企業(yè)之間越來(lái)越多的合作更是令人關(guān)注。

發(fā)表于：12/29/2024

邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

　　過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。

發(fā)表于：12/29/2024

貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容

　　2024年12月23日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 持續(xù)擴(kuò)充其來(lái)自業(yè)界知名制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容，幫助客戶奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎(chǔ)。

發(fā)表于：12/28/2024

通過(guò)恩智浦PMIC和處理器為工業(yè)應(yīng)用供電

　　電源管理是工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵考慮要素，對(duì)系統(tǒng)性能、可靠性和成本效率有重大影響。電源管理集成電路（PMIC）在調(diào)節(jié)電壓和為系統(tǒng)內(nèi)的各種組件（包括處理器和外設(shè)）供電方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

發(fā)表于：12/28/2024

派克漢尼汾推出新的快換接頭產(chǎn)品系列，擴(kuò)展熱管理解決方案

　　近期，運(yùn)動(dòng)與控制技術(shù)領(lǐng)域的先行者——派克漢尼汾宣布推出四個(gè)具有開創(chuàng)性的熱管理解決方案——NSAC、NSEC和NSIC系列盲插式快換接頭以及NSSC螺紋連接快換接頭。這些創(chuàng)新產(chǎn)品旨在滿足電子冷卻、電池制造、信息技術(shù)、能源管理、工程機(jī)械和運(yùn)輸?shù)刃袠I(yè)復(fù)雜的熱管理需求。

發(fā)表于：12/28/2024

思特威全新推出智能交通應(yīng)用9MP及6MP高性能CMOS圖像傳感器

　　2024年12月26日，中國(guó)上海 —思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱：思特威，股票代碼：688213）近日宣布，全新推出高性能智能交通(ITS)應(yīng)用全局快門圖像傳感器產(chǎn)品SC935HGS(9MP)及SC635HGS(6MP)。兩款新品基于思特威先進(jìn)的SmartGS?-2 Plus技術(shù)打造，搭載Lightbox IR®近紅外增強(qiáng)技術(shù)，支持多種HDR模式，兼具高動(dòng)態(tài)范圍、高幀率、低噪聲、無(wú)畸變等多項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)。針對(duì)智能交通應(yīng)用的實(shí)際場(chǎng)景，SC935HGS及SC635HGS進(jìn)行了高溫性能、幀率、快門效率等多個(gè)關(guān)鍵能力的全面優(yōu)化，能夠切實(shí)解決道路監(jiān)測(cè)中的多類型痛點(diǎn)，充分滿足各類復(fù)雜條件下智能交通系統(tǒng)快速、清晰、準(zhǔn)確、穩(wěn)定的圖像捕捉需求。

發(fā)表于：12/27/2024

2025存儲(chǔ)前瞻：用存儲(chǔ)加速AI，高性能SSD普適化

　　縱觀2024年，存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來(lái)了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級(jí)UFS 4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國(guó)際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時(shí)下的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲(chǔ)鋪墊全新的技術(shù)可行性。

發(fā)表于：12/27/2024

逐點(diǎn)半導(dǎo)體助力iQOO Z9 Turbo長(zhǎng)續(xù)航版帶來(lái)旗艦級(jí)視覺(jué)體驗(yàn)

　　中國(guó)上海，2024年12月27日——專業(yè)的圖像和顯示處理方案提供商逐點(diǎn)半導(dǎo)體宣布，新發(fā)布的iQOO Z9 Turbo長(zhǎng)續(xù)航版智能手機(jī)搭載逐點(diǎn)半導(dǎo)體X5 Turbo視覺(jué)處理器，為多款人氣手游提供有針對(duì)性的幀率優(yōu)化方案，讓高幀體驗(yàn)無(wú)懼功耗負(fù)擔(dān)，同時(shí)還配備了多款游戲?yàn)V鏡，進(jìn)一步豐富了玩家的視效體驗(yàn)。此外，iQOO Z9 Turbo長(zhǎng)續(xù)航版還為多款視頻APP適配了高幀畫質(zhì)模式，將用戶追劇的沉浸感一鍵拉滿。

發(fā)表于：12/27/2024

二極管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試專題

二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是電子電路中常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，它們的測(cè)試是確保電路可靠性和穩(wěn)定性的重要環(huán)節(jié)。這種測(cè)試對(duì)于確保電子設(shè)備在不同負(fù)載條件下的性能、穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要這些測(cè)試方法可以幫助工程師和技術(shù)人員評(píng)估二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的性能，確保它們?cè)陔娐分心軌蛘９ぷ鳌?/a>

電阻/電容/電感測(cè)試專題

RCL負(fù)載由電阻（R）、電容（C）和電感（L）組成，用于模擬實(shí)際工作條件下的電路負(fù)載。通過(guò)調(diào)整RCL負(fù)載的參數(shù)，可以模擬不同的工作條件，包括額定功率、電流和電壓等。電阻電容電感（RCL）完整測(cè)試是指對(duì)電路中的電阻、電容和電感元件進(jìn)行全面的性能測(cè)試和參數(shù)測(cè)量。這種測(cè)試對(duì)于確保電子設(shè)備在不同負(fù)載條件下的性能、穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。

發(fā)表于：12/24/2024

場(chǎng)效應(yīng)管的重要參數(shù)介紹

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流，超過(guò)此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開始導(dǎo)電的最小柵源電壓。

發(fā)表于：12/23/2024

場(chǎng)效應(yīng)管的主要類型介紹

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流。 場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號(hào)處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級(jí)或輸出級(jí)。

發(fā)表于：12/23/2024

三極管的重要參數(shù)介紹

三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，它有多種類型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。不同類型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)：

發(fā)表于：12/23/2024