電子元件相關文章 聯(lián)動車業(yè)、攜手芯企、共贏四化——大聯(lián)大及伙伴共推車用技術創(chuàng)新和高效供應 中國，深圳 - 2023年5月11日 – 由致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商大聯(lián)大控股主辦的、以 “駛向未來：預約下一個十五?五馳騁世界”為主題的汽車技術應用路演深圳站今日圓滿落幕。大聯(lián)大代理的近20條中外產(chǎn)線，以及大聯(lián)大自身強大的車用技術團隊為本次活動帶來精彩的演講和現(xiàn)場演示，在本次路演上海站之后再次吸引了眾多專業(yè)人士的參與。 發(fā)表于：5/11/2023 智慧醫(yī)療市場背后，元器件廠商的核心價值在哪里？ 如今的傳統(tǒng)醫(yī)療行業(yè)正面臨著資源分配不均、人工供給不足、協(xié)作效率低等痛點，加速了醫(yī)療行業(yè)的深度變革。同時，疊加底層技術升級和政策牽引的雙重buff，讓智慧醫(yī)療站在了風口上。然而，不同于消費領域，醫(yī)療產(chǎn)業(yè)對包括芯片和元器件在內(nèi)的核心技術擁有極其嚴苛的標準。對元器件廠商而言，如何憑借自身硬實力，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈將成為其在智慧醫(yī)療革新中出奇制勝的關鍵因素。 發(fā)表于：5/11/2023 EIE組合磁材磁集成變壓器的設計與研究 針對帶有功率因素校正功能的LLC諧振變換器，提出了一種新型EIE組合磁材磁集成變壓器，采用解耦集成的方式將PFC電感、LLC諧振電感以及LLC高頻變壓器這三個獨立的磁性元件集成到一起。詳細介紹了磁集成變壓器設計方法，并利用ANSYS Maxwell仿真軟件對EIE組合磁材磁集成變壓器進行建模仿真。比較錳鋅鐵氧體材料與鐵硅鋁磁粉芯材料的特點后，為了提高變壓器的抗飽和能力，選用I型磁芯材質為鐵硅鋁磁粉芯。最后，搭建了一臺輸出功率為100 W的實驗樣機證實了EIE組合磁材磁集成變壓器設計方法的可行性。 發(fā)表于：5/11/2023 反激變換器開關噪聲抑制策略 多用于小功率輔助電源的反激變換器拓撲，功率器件的導通及關斷噪聲在高壓輸入的情況下更加嚴重，甚至導致芯片無法正常工作。首先分析了反激變換器噪聲的產(chǎn)生機理，通過控制變壓器漏感，結合變換器負載條件以抑制輸出導通噪聲；其次，利用TL431及光耦變換器特性，設計可變補償網(wǎng)絡，從環(huán)路控制方面補償漏感變化造成的系統(tǒng)性能降低；最后，搭建輸入430 V~650 V，多路輸出共10 W的反激輔助電源，實驗結果驗證了設計的可行性與正確性。 發(fā)表于：5/11/2023 Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為 Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。 發(fā)表于：5/11/2023 英飛凌推出面向電動汽車牽引逆變器的新型汽車功率模塊——HybridPACK? Drive G2 2023 年 5 月 8 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出一款新型汽車功率模塊——HybridPACK? Drive G2。該模塊傳承了成熟的 HybridPACK Drive G1 集成 B6 封裝概念，在相同尺寸下提供可擴展性，并擴展至更高的功率和易用性。HybridPACK Drive G2 系列具有不同的額定電流和電壓等級（750 V和1200 V），并使用了英飛凌的下一代芯片技術 EDT3（硅 IGBT）和 CoolSiC? G2 MOSFET。 發(fā)表于：5/11/2023 睿感ScioSense推出低功耗氣體傳感器ENS161 德國 紐倫堡，中國 濟南，2023年5月9日——業(yè)界領先的環(huán)境和高精度流量和時間測量傳感芯片廠商睿感（ScioSense）今日宣布，推出了新品ENS161，這是一款低功耗多氣體傳感器，使僅靠小容量電池供電的可穿戴和便攜式設備能夠進行連續(xù)的空氣質量監(jiān)測。 發(fā)表于：5/10/2023 大聯(lián)大品佳集團推出基于達發(fā)科技（Arioha）產(chǎn)品的OTC頸掛式藍牙助聽器方案 2023年5月9日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于達發(fā)科技（Arioha）PAU1806芯片的OTC頸掛式藍牙助聽器方案。 發(fā)表于：5/10/2023 東芝推出新款數(shù)字隔離器，助力工業(yè)應用實現(xiàn)穩(wěn)定的高速隔離數(shù)據(jù)傳輸 中國上海，2023年5月9日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數(shù)字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態(tài)抑制（CMTI）和150Mbps的高速數(shù)據(jù)速率。該系列六款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 發(fā)表于：5/10/2023 xMEMS宣布其全球獨家全硅固態(tài)保真MEMS揚聲器全面上市 中國，北京-2023年5月9日 - 固態(tài)保真（Solid-State Fidelity?）MEMS微型揚聲器創(chuàng)新開發(fā)商xMEMS Labs（簡稱：xMEMS）宣布其三款革命性MEMS微型揚聲器解決方案全面上市，可立即集成到下一代真無線立體聲（TWS）耳機、入耳式耳機（IEM）、數(shù)字助聽器以及智能眼鏡和睡眠耳塞等新興的個人音頻電子產(chǎn)品中。 發(fā)表于：5/10/2023 Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 發(fā)表于：5/10/2023 世健獲Bourns“2022年度最佳技術伙伴” 近日，世健科技私人有限公司獲得了來自供應商Bourns授予的“2022年度最佳技術伙伴”獎項 ，以表彰世健在過去一年中，為支持Bourns產(chǎn)品線所做出的突出貢獻。 發(fā)表于：5/10/2023 存儲芯片路線圖 CMOS 邏輯和存儲器共同構成了半導體器件生產(chǎn)的絕大部分。本文考慮的內(nèi)存類型是 DRAM 和非易失性內(nèi)存 (NVM)。重點是商品、獨立芯片，因為這些芯片往往會推動內(nèi)存技術。然而，嵌入式存儲芯片預計將遵循與商品存儲芯片相同的趨勢，通常會有一些時間滯后。對于 DRAM 和 NVM，都考慮了詳細的技術要求和潛在的解決方案。 發(fā)表于：5/9/2023 為什么芯片大廠都將接口IP作為打造安全SoC著力點？ 當前，我們正處于一個數(shù)據(jù)大爆炸的時代。IDC數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量自2022至2026五年時間里將增長一倍以上，僅中國的數(shù)據(jù)量就將達到56.16ZB，年復合增長率為24.9%。高速增長的數(shù)據(jù)量讓我們從“計算驅動”走向“數(shù)據(jù)驅動”，數(shù)據(jù)正成為社會經(jīng)濟發(fā)展重要的生產(chǎn)要素，也引發(fā)出三個關鍵性問題——開放流通、價值挖掘和安全保護。我們都知道芯片是數(shù)據(jù)流轉的核心載體，數(shù)據(jù)的計算、傳輸和存儲都離不開芯片。近幾年，“芯片后門”事件時有發(fā)生，造成的經(jīng)濟損失也越來越大，因此安全已經(jīng)成為芯片設計架構中不可或缺的一環(huán)。 發(fā)表于：5/9/2023 英飛凌德累斯頓新工廠破土動工 【2023 年 5 月 5 日，德國慕尼黑及德累斯頓訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）與來自比利時布魯塞爾、德國柏林和薩克森州的政界領袖共同為英飛凌的德累斯頓新工廠舉行破土動工典禮。歐盟委員會主席馮德萊恩 （Ursula von der Leyen） 、德國總理奧拉夫·朔爾茨 （Olaf Scholz） 、薩克森州州長克雷奇默 （Michael Kretschmer） 和德累斯頓市長希伯特 （Dirk Hilbert）與英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 象征性地共同啟動了新工廠建設工作。這座新工廠的投資金額為 50 億歐元，是英飛凌歷史上最大的單筆投資。 發(fā)表于：5/9/2023 ?…50515253545556575859…?
