消費電子最新文章 蘋果Vision Pro拆機：芯片型號供應(yīng)商首次解密 芯片級拆機：35顆蘋果Vision Pro芯片型號供應(yīng)商首次解密，顯微鏡看索尼屏 發(fā)表于：2/8/2024 SK 海力士與臺積電建立AI芯片聯(lián)盟 SK 海力士與臺積電建立 AI 芯片聯(lián)盟 合作開發(fā) HBM4 發(fā)表于：2/8/2024 韓國半導(dǎo)體產(chǎn)品今年出口額預(yù)計低于1000億美元 在價格上漲、人工智能領(lǐng)域需求增加、主要廠商新推出智能手機大量出貨的推動下，全球半導(dǎo)體市場的狀況近幾個月在好轉(zhuǎn)，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)品的出口額在 11 月份也時隔 15 個月再次同比上漲。 發(fā)表于：2/6/2024 2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布 據(jù)媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導(dǎo)體工廠，將進行2nm制造。 據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。 發(fā)表于：2/5/2024 英偉達對華特供 H20 AI 芯片已可接受預(yù)訂 據(jù)界面新聞記者援引多位經(jīng)銷商消息，英偉達對華“特供版”AI 芯片 H20 的終端產(chǎn)品已可接受預(yù)訂，產(chǎn)品形態(tài)包括計算卡和搭載 8 張 H20 計算卡的服務(wù)器。 有經(jīng)銷商稱搭載 8 張 H20 計算卡的服務(wù)器拿貨價格超過 150 萬元，不少經(jīng)銷商認(rèn)為這一價格有點“虛高”，因此還未決定是否進貨。 另有經(jīng)銷商透露，H20 計算卡價格并非固定，會在一定范圍內(nèi)有所浮動，目前英偉達傾向于出售服務(wù)器整機系統(tǒng)。 發(fā)表于：2/5/2024 3nm爭奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億 據(jù)韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產(chǎn)芯片均存在缺陷，良品率 0%。報道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。 當(dāng)三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時，臺積電的 3nm 工藝已經(jīng)可以養(yǎng)家了。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產(chǎn)量的持續(xù)強勁增長。 在 3nm 先進制程工藝上，三星暫時做不到遙遙領(lǐng)先。 發(fā)表于：2/5/2024 長鑫存儲準(zhǔn)備自己造HBM內(nèi)存 據(jù)媒體報道，中國領(lǐng)先的存儲企業(yè)長鑫存儲 ( CXMT ) 已經(jīng)開始準(zhǔn)備必要設(shè)備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內(nèi)存，以滿足迫切的 AI、HPC 應(yīng)用需求。 發(fā)表于：2/5/2024 華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制作方法”專利 發(fā)表于：2/5/2024 SK海力士宣布2026年量產(chǎn)HBM4 據(jù)媒體報道，SK海力士表示，生成式AI市場預(yù)計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM4。 據(jù)了解，HBM類產(chǎn)品前后經(jīng)過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產(chǎn)品。 發(fā)表于：2/5/2024 聯(lián)發(fā)科將以更實惠的價格為三星提供芯片 傳聞聯(lián)發(fā)科將以更實惠的價格為三星提供芯片，但旗艦系列不大可能采用天璣9400 發(fā)表于：2/5/2024 美國ITC終止對移動電話等產(chǎn)品337調(diào)查 摩托羅拉移動、聯(lián)想涉案 美國ITC終止對移動電話等產(chǎn)品337調(diào)查 發(fā)表于：2/5/2024 史上首個100%開源大模型重磅登場 史上首個 100% 開源大模型重磅登場：破紀(jì)錄公開代碼 / 權(quán)重 / 數(shù)據(jù)集 / 訓(xùn)練全過程，AMD 都能訓(xùn) 艾倫人工智能研究所等 5 機構(gòu)最近公布了史上最全的開源模型「OLMo」，公開了模型的模型權(quán)重、完整訓(xùn)練代碼、數(shù)據(jù)集和訓(xùn)練過程，為以后開源社區(qū)的工作設(shè)立了新的標(biāo)桿。 發(fā)表于：2/4/2024 谷歌推出AI擴散模型Lumiere 谷歌推出AI擴散模型Lumiere，可通過文字生成連貫動作視頻 谷歌研究院推出了一款名為Lumiere的“文生視頻”擴散模型，主打采用自家最新開發(fā)的“Space-Time U-Net”基礎(chǔ)架構(gòu)，號稱能夠一次生成“完整、真實、動作連貫”的視頻。這是一種新的生成式AI工具,可幫助您通過基于文本的命令創(chuàng)建更逼真的圖像和視頻。 發(fā)表于：2/4/2024 1c納米內(nèi)存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料 根據(jù)韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。 分析機構(gòu) TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。 鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認(rèn)為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。 發(fā)表于：2/4/2024 三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗 根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發(fā)表于：2/4/2024 ?…121122123124125126127128129130…?
