工業(yè)自動化最新文章 全球功率GaN产业链七大版块及代表厂商一览 在电源管理领域，随着应用对高压和高性能的要求逐步提升，GaN（氮化镓）越来越受到重视。从理论的角度来看，GaN提供了超越传统硅MOSFET的技术优势。尽管目前的功率GaN市场与32.8亿美元的硅电源管理市场相比显得微不足道，但GaN器件正在向各应用领域渗透，例如，LiDAR，这是高端应用，可充分利用功率GaN的高频开关特性。据Yole Développement预测，到2023年，功率GaN市场规模将达到4.23亿美元，复合年增长率（CAGR）为93％。 發(fā)表于：2019/8/11 干货|2019年氮化镓半导体材料行业研究报告 2019年6月3日，人们日报消息称，工业和信息化部将于近期发放5G商用牌照，我国将正式进入5G商用元年。 發(fā)表于：2019/8/11 RF GaN市场蓬勃发展的关键是什么？ 据麦姆斯咨询介绍，近年来，由于氮化镓（GaN）在射频（RF）功率应用中的附加价值（例如高频率下的更高功率输出和更小的占位面积），RF GaN产业经历了惊人的高增长。根据Yole最近发布的《射频氮化镓技术、应用及市场-2019版》报告，在无线基础设施和国防两大主要应用的推动下，RF GaN整体市场规模到2024年预计将增长至20亿美元。 發(fā)表于：2019/8/11 《射频（RF）氮化镓技术及厂商专利全景分析-2019版》 近年来，RF GaN市场的发展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的产业格局。在电信和国防应用的推动下，RF GaN行业将持续增长，而随着5G应用的到来，RF GaN市场将加速发展。据麦姆斯咨询介绍，RF GaN市场总规模预计将从2017年的3.8亿美元到2023年增长到13亿美元。 發(fā)表于：2019/8/11 深度评论：中国半导体产业缺人吗？ 很多媒体说中国半导体人才匮乏，但是根据笔者自己在这个行业的观察，我认为中国半导体行业并不缺人。从研发人员、管理人员到技术人员、操作人员，各个技术层级、各个不同的岗位，中国不缺人，不缺优秀的人！ 發(fā)表于：2019/8/6 褚健：工业互联网安全必须引起高度重视 近日，在强网论坛工业互联网安全分论坛上，宁波工业互联网研究院院长褚健作了主题演讲。褚院长在演讲中强调，现在工业信息化安全、网络安全的确是一个大的问题，必须引起高度重视，国家工控安全的体系，特别是国家重大基础设施、或者是核心基础设施的控制系统如果说被攻击了，不仅仅导致了企业内部的损失，甚至可以导致国民经济的混乱，也会危及国家的安全。以下为褚院长演讲全文，以飨读者。 發(fā)表于：2019/8/6 ABC车身控制系统与DSC车身动态控制系统 ABC车身控制系统里的悬挂避震装置安装在车轮和车身之间。空气风箱的位置安装了一个螺旋弹簧和液压缸。螺旋弹簧在车轮方向通过连接在减震器上的弹性盘来支撑，在车身方向则通过一个可移动的轴，使作用在悬挂上的附加力通过压力油控制液压缸伸缩来消除。 發(fā)表于：2019/8/3 美半导体CEO对行业未来的看法 如果摩尔定律(Moore 's Law)已不复存在，那么硅谷现在该怎么办?对此，Arm、Micron、Xilinx的首席执行官们有发言权： “软件可能正在吞噬世界，但半导体是第一口”，Xilinx的 CEO Victor Peng。他进一步指出:“摩尔定律已经走到了终点。” 發(fā)表于：2019/8/2 【物联网智商精选】5G如何影响工业？ 5G是个啥？5G时代将如何影响工业/装备制造业？（附PPT全文揭晓） 發(fā)表于：2019/8/2 14nm争夺战别有洞天 在半导体制造领域，10nm、7nm及更先进制程的竞争正在变得越来越不激烈，其主要原因自然是投入巨大、风险高，愿意进入的玩家越来越少，目前只剩下台积电、三星和英特尔这三家了，这里显然成为了卖方市场，从各大客户为获得足够的台积电7nm产能而争破头这一点就可见一斑。 發(fā)表于：2019/8/1 摩尔定律终结，谁是替代者？ 有关摩尔定律的有效性讨论了N年。在半导体行业，摩尔定律无人不知无人不晓，这是Intel联合创始人戈登·摩尔在1865年提出的一个规律，最初指的是半导体芯片每年晶体管密度翻倍，性能翻倍，后来修为每两年晶体管翻倍，性能提升一倍。 發(fā)表于：2019/8/1 模拟电路的八大基本概念 在电子电路中，电源、放大、振荡和调制电路被称为模拟电子电路，因为它们加工和处理的是连续变化的模拟信号。 發(fā)表于：2019/8/1 三种单片机对比：51系列、PIC和AVR 三种单片机对比：51系列、PIC和AVR 發(fā)表于：2019/8/1 思特威科技推出两款全新工业级CMOS图像传感器 2019年8月1日，中国上海 — 近日，技术领先的CMOS图像传感器供应商思特威科技（SmartSens）发布两款全新工业级CMOS图像传感器——SC2310T与SC4210T。这两款产品兼具思特威科技独特的像素技术与业界领先的工作温度范围，能够为恶劣工作环境中的应用提供超低光照条件下的极佳成像性能，以及高达100db的动态范围。 發(fā)表于：2019/8/1 基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件，优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构，在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术，制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性： 峰值电流密度＞400 kA/cm2， 峰谷电流比(PVCR)＞2.4。 發(fā)表于：2019/8/1 <…515516517518519520521522523524…>
