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工業(yè)自動化最新文章

基于APD的2.5D封裝中介層自動化設(shè)計

由于高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）的高帶寬特性，在2.5D封裝中介層（Interposer）的版圖設(shè)計過程中存在大量HBM接口的連線需要手動完成。介紹了如何使用SKILL語言在Allegro封裝設(shè)計工具 (Allegro Package Design，APD) 中實現(xiàn)HBM接口的自動布線，將原來的手動布線時間從2周縮短到10 min，大大壓縮設(shè)計周期。

發(fā)表于：2019/8/14

融合GDT和MOV，Bourns打造創(chuàng)新型過壓保護器件

融合GDT和MOV，Bourns打造創(chuàng)在使用電子電氣設(shè)備的眾多惡劣環(huán)境中，雷電是其中的代表。我國某縣城的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，每年因雷電導致過壓造成的設(shè)備損壞占整體的70.11%，單一工作單位的損失就可達數(shù)十萬元。再加上如今消費者對于設(shè)備的功能要求越來越嚴苛和多樣，促使電路保護元件已經(jīng)從最開始的玻璃管保險絲，發(fā)展成為龐大的電子元器件分支。為了幫助設(shè)備廠商應(yīng)對日益復(fù)雜多變的市場環(huán)境，提高產(chǎn)品市場競爭力，全球知名的電子元器件制造與供貨商美國柏恩（Bourns）推出了GMOV?系列過電壓保護元件（以下簡稱GMOV?系列）。新型過壓保護器件

發(fā)表于：2019/8/13

中國壓鑄展圓滿落幕諾瑞肯“鑄”力本土化發(fā)展

中國上海，2019年 8月12日——每年舉辦的中國國際壓鑄會議暨展覽會備受行業(yè)矚目，較高的專業(yè)性和知名度吸引了各大行業(yè)代表企業(yè)出席。此前，諾瑞肯集團攜旗下四大品牌：迪砂（DISA）、意特佩雷斯高斯（Italpresse Gauss）、史杰克西（StrikoWestofen），以及維爾貝萊特（Wheelabrator）成功亮相了本屆中國壓鑄展，充分展示了其領(lǐng)先的行業(yè)水平和卓越的品牌實力。諾瑞肯從創(chuàng)新技術(shù)入手，引領(lǐng)壓鑄行業(yè)順應(yīng)終端市場的變革，這一發(fā)展方向與本屆展會的主題“高端壓鑄件制造技術(shù)的發(fā)展與多元化”不謀而合。

發(fā)表于：2019/8/13

關(guān)于芯片產(chǎn)業(yè)的未來，專家是這樣看的！

2019年度國際計算機體系結(jié)構(gòu)旗艦會議ISCA于6月在美國亞利桑那州鳳凰城召開。6月23日與ISCA一起舉行的遠景研討會（SIGARCH Visioning Workshop）吸引了上百位聽眾。一方面是因為此次研討會主題“面向下一代計算的敏捷開放硬件（Agile and Open Hardware for Next-Generation Computing）”是當前體系結(jié)構(gòu)研究領(lǐng)域的前沿熱點，引起了很多人的關(guān)注；另一方面11位報告人中大牛云集，有圖靈獎得主David Patterson教授，也有多位美國工程院院士加持，還有來自MIT、Berkeley、Stanford、UCSD、Google、Nvidia、DARPA等頂尖大學、企業(yè)和政府機構(gòu)的專家（自己成了唯一的一位來自美國以外的報告人，多少有些勢單力?。?。

發(fā)表于：2019/8/11

5G到底能給制造業(yè)帶來什么？

都說5G是迎接工業(yè)4.0時代的前奏，5G“三超”（超高速、超大連接、超低時延）的關(guān)鍵能力，和萬物互聯(lián)的應(yīng)用場景將開啟新一輪信息產(chǎn)業(yè)革命，5G技術(shù)已成為支撐智能制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。

發(fā)表于：2019/8/11

ADC的電源選型

ADC是一個敏感器件，要好好對待它的各個輸入端口，才能得到它本身的性能。常規(guī)的，我們會在輸入端加入抗混疊濾波器，時鐘端使用抖動極低的時鐘芯片的輸出，那電源輸入端呢？

發(fā)表于：2019/8/11

氮化鎵半導體材料在5G時代的應(yīng)用前景

氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。

發(fā)表于：2019/8/11

氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢盤點

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。

發(fā)表于：2019/8/11

射頻氮化鎵市場前景分析

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業(yè)大量應(yīng)用。在電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩大主要市場的推動下，預(yù)計到2024年RF GaN整體市場規(guī)模將增長至20億美元。

發(fā)表于：2019/8/11

電信和國防應(yīng)用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展專利之爭全面開啟

電信和國防應(yīng)用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復(fù)合增長率達到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。

發(fā)表于：2019/8/11

氮化鎵的世界你知道多少？！

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體。

發(fā)表于：2019/8/11

中國5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場分析（下）：重要企業(yè)與產(chǎn)品匯總

GaN-on-SiC 射頻器件的供應(yīng)商主要為 IDM 企業(yè)，核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)包括 SiC 襯底材料制作、GaN 材料外延生長、器件設(shè)計和制造、封裝測試。本文將從 SiC 襯底、GaN 材料外延、器件設(shè)計和制造三個環(huán)節(jié)來闡述。

發(fā)表于：2019/8/11

中國5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場分析（上）

　　GaN 是屬于異質(zhì)結(jié) HEMT（High Electron Mibility Transistro），異質(zhì)結(jié)就是利用一種比 GaN 禁帶寬度更高的(Al，Ga)GaN 與 GaN 組合在一起。　　由于(Al，Ga)GaN 和 GaN 的異質(zhì)結(jié)存在兩種極化效應(yīng)：自發(fā)極化(RSP)和壓電極化(RPE)，正是由于這兩種極化共同作用，所以在(Al，Ga)GaN 和 GaN 的界面處產(chǎn)生極化靜電荷，從而形成兩維電子氣（2DEG:2-D electron gas)，2DEG 的速度比普通的電子快 2.7 倍，因此其擁有更高的工作頻率。

發(fā)表于：2019/8/11

GaN（氮化鎵）適用于哪些關(guān)鍵領(lǐng)域？

半導體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風帶雨，好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。

發(fā)表于：2019/8/11

藍寶石微講堂第五十三期-氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資分析（上篇）

2019“振華半導體”藍寶石&半導體上海高峰論壇，浙江品利基金的投資總監(jiān)王飛堯作為嘉賓為參會的各位行業(yè)同仁做了關(guān)于《氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資分析》的專題報告。報告闡述了氮化鎵材料的特性及其應(yīng)用市場，并簡要分析了不同硅、碳化硅、氮化鎵、藍寶石等基體材料對氮化鎵的應(yīng)用和影響。

發(fā)表于：2019/8/11