2019年6月3日，人們日報消息稱，工業(yè)和信息化部將于近期發(fā)放5G商用牌照，我國將正式進入5G商用元年。

　　5G技術的建設和發(fā)展提高了電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻的器件需求，與此同時，新能源汽車、汽車電子、軌道交通等產業(yè)的快速推進，對微電子元件領域的要求也越來越高。于是第三代半導體應運而生。

　　氮化鎵（GaN）作為一種寬禁帶半導體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、低能耗、適合高頻率、支持寬帶寬等特點，是實現(xiàn)5G的關鍵材料。

　　據Yole預測，2020年末，GaN射頻器件市場規(guī)模將擴大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G網絡的實施將接棒推動GaN市場增長。未來10年，GaN市場將有望超過30億美元。

　　5G元年開啟，氮化鎵半導體材料有哪些機遇？新材料在線?獨家編寫《2019年氮化鎵半導體材料行業(yè)研究報告》為您揭秘。

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