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工業(yè)自動化最新文章

寧德時代全固態(tài)電池2027年有望小批量生產(chǎn)

寧德時代：全固態(tài)電池技術我們行業(yè)領先 2027年有望小批量生產(chǎn)

發(fā)表于：8/14/2024

英飛凌推出PSOC? Control MCU系列

【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費電機控制以及功率轉換系統(tǒng)應用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅動器，以及照明和計算/通信電源等。

發(fā)表于：8/13/2024

復旦團隊國際首次驗證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息，據(jù)復旦大學官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將速度提升一千倍以上，實現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實現(xiàn)規(guī)模集成、走向實際應用極具挑戰(zhàn)。從界面工程出發(fā)，復旦大學團隊在國際上首次驗證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點，相關成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。

發(fā)表于：8/13/2024

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024

傳臺積電將在高雄建設1.4nm晶圓廠

因應全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進制程技術留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術設廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調表示不回應市場傳言。

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024

美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。

發(fā)表于：8/13/2024

武漢光谷實驗室研發(fā)量子點光刻膠

8 月 13 日消息，武漢光谷實驗室宣布與華中科技大學等研究團隊合作研發(fā)出高性能量子點光刻膠（QD-PR），其藍光轉換效率達到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達到 1 μm，各項性能指標為行業(yè)領先水平。

發(fā)表于：8/13/2024

日本研究團隊提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：8/13/2024

英國牛津大學推出柔性多結太陽能電池板

英國牛津大學推出柔性多結太陽能電池板，轉換效率有望達到45%

發(fā)表于：8/13/2024

夏普考慮將半導體和相機模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財年內將半導體業(yè)務和智能手機用相機模組業(yè)務出售給鴻海。對于出售金額，夏普社長沖津雅浩稱由于談判剛剛開始，更多細節(jié)目前不便透露。

發(fā)表于：8/13/2024

美國芯片法案簽署兩周年記

美國芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個工作崗位！

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱聯(lián)發(fā)科首款AI PC芯片明年公布

據(jù)最新消息，聯(lián)發(fā)科將推出首款 PC 芯片以進軍 AI PC 領域，并計劃攜手英偉達，在明年上半年公布具體信息，這無疑是對英特爾、AMD、高通等 PC 芯片陣營的一次挑戰(zhàn)。此次聯(lián)發(fā)科與英偉達的合作，旨在打造一個集高效能與低功耗于一身的 Arm PC 處理器。這款芯片預計將在今年第三季度完成設計藍圖，并在第四季度進入全面驗證階段，隨后于明年上半年正式亮相。業(yè)內人士普遍認為，聯(lián)發(fā)科此次的優(yōu)勢不僅在于其以往在效能與功耗上的出色表現(xiàn)，更在于其更加親民的價格策略，這有望在價格敏感的市場中掀起一陣風暴。

發(fā)表于：8/13/2024

日本十大半導體設備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導體設備廠商二季度獲利同比暴漲80%！

發(fā)表于：8/13/2024

Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性

　　奈梅亨，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS（on）和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

發(fā)表于：8/13/2024