工業(yè)自動(dòng)化最新文章 电阻/电容/电感测试专题 RCL负载由电阻（R）、电容（C）和电感（L）组成，用于模拟实际工作条件下的电路负载。通过调整RCL负载的参数，可以模拟不同的工作条件，包括额定功率、电流和电压等。电阻电容电感（RCL）完整测试是指对电路中的电阻、电容和电感元件进行全面的性能测试和参数测量。这种测试对于确保电子设备在不同负载条件下的性能、稳定性和可靠性至关重要。 發(fā)表于：2024/12/24 GMCC美芝电子膨胀阀以创新抢占行业“制高点” 作为家用电器核心零部件系统级解决方案供应商，GMCC美芝凭借对行业趋势的精准把脉与洞察，以深厚的创新研发实力为基础，历时多年打造出适用于多种复杂应用场景的M系列、W系列及L系列电子膨胀阀产品，在攀登业界技术创新“制高点”的征程上又写下浓墨重彩的一笔。 發(fā)表于：2024/12/24 2024年中国超1.46万家芯片公司倒闭 2024年，中国芯片市场面临严峻挑战，呈现出两极分化的发展态势。一方面，行业下行周期中，倒闭潮持续蔓延。Wind数据显示，自2022年到2023年，已有超过1.6万家芯片相关企业倒闭或注销，2024年新增的倒闭企业高达14648家。另一方面，2024年新注册芯片企业数量达52401家，尽管低于2023年，但显示出市场创业热情依然高涨。 發(fā)表于：2024/12/24 Rigetti推出84量子比特量子计算机Ankaa-3 12月24日消息，美国量子计算厂商Rigetti Computing 推出了配备84量子比特处理器的第三代量子计算机 Ankaa-3，重新设计的量子计算机实现了 99% 的双量子比特门保真度，将以前的错误率降低了一半。同时，Rigetti 计划明年推出 100量子比特的量子计算机。 發(fā)表于：2024/12/24 2024年前三季度的半导体总收入达到1020亿美元 2024年前三季度的半导体总收入与2023年同期相比增长了26%，增长达到1020亿美元 發(fā)表于：2024/12/24 软银芯片计划曝光 据媒体报道，软银集团创始人孙正义近几个月正专注于一件事，那就是如何利用自家芯片打造下一个NVIDIA，在AI市场分一杯羹。 孙正义的目标是到2026年推出首批可发货的AI芯片，并计划最早在明年夏季开发出原型产品。 發(fā)表于：2024/12/24 传英伟达将在中国台湾建立海外总部 12月24日消息，据业内传闻，AI芯片大厂英伟达（NVIDIA）计划将在中国台湾建造一个“海外总部”，因为英伟达CEO黄仁勋希望兑现他对当地员工的承诺，即拥有一个专门的设施。 發(fā)表于：2024/12/24 我国建成1200余家先进级智能工厂和230余家卓越级智能工厂 12 月 24 日消息，据我国工业和信息化部公布，我国现已建成 1200 余家先进级智能工厂和 230 余家卓越级智能工厂，当前我国累计发布 469 项智能制造国家标准、50 项国际标准，6500 余家智能制造系统解决方案供应商服务范围涵盖全部制造业领域。 發(fā)表于：2024/12/24 博通CEO表示目前对收购Intel没有兴趣 博通CEO：目前对收购Intel没有兴趣 發(fā)表于：2024/12/24 韩国学术界呼吁效仿台积电成立KSMC 12月23日消息，据媒体报道，韩国国家工程院（NAEK）近日在首尔举行的研讨会上，讨论了效仿台积电成立韩国半导体制造公司（KSMC）的计划。 专家估计，到2045年，对KSMC的20万亿韩元投资，可产生300万亿韩元的经济效益。 韩国拥有三星电子和SK海力士这两家尖端存储芯片的制造商，但在芯片代工领域，尤其是与台积电的竞争中，三星的进展并不顺利。 發(fā)表于：2024/12/24 美对华成熟制程芯片发起301调查 当地时间12月23日，美国拜登政府通过白宫官网宣布，已要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将基础半导体（也称为传统或成熟制程芯片）作为主导地位的目标以及对美国经济的影响。 發(fā)表于：2024/12/24 2025半导体产业增速将超10% 12月23日消息，综合多家研究机构的预测数据来看，2025年全球半导体产值有望将维持两位数百分比的同比增长。不过，随着美国新一届总统特朗普即将上任，地缘政治不确定性恐将升高，并为全球经济形势与半导体产业增长添增变数。 發(fā)表于：2024/12/24 5G确定性工业基站首次商用 近日，在“无线通算智融合技术标准攻关及基站研制”央企联合体、浙江中心5G-A实验室的支持下，中国移动温州分公司联手华为在温州烟草配送中心成功开通浙江省内首个5G确定性工业基站，满足客户业务场景对时延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭运输产线上完成5*24小时稳定性测试。这一创新性成果标志着5G工业应用迈出了关键一步，为工业自动化、智能化发展提供强有力的技术支撑，有望推动更多工厂向星级工厂迈进。 發(fā)表于：2024/12/24 二极管/三极管/场效应管完整测试方案设计及选择 二极管/三极管/场效应管完整测试方案设计及选择 發(fā)表于：2024/12/23 场效应管的重要参数介绍 场效应管（FET）的重要参数包括： 1.最大漏源电压（VDSmax）：场效应管漏极和源极之间能够承受的最大电压。 2.最大漏极电流（IDmax）：场效应管能够承受的最大漏极电流，超过此值可能会导致器件损坏。 3.最大栅源电压（VGSmax）：场效应管栅极和源极之间能够承受的最大电压。 4.阈值电压（Vth）：使场效应管开始导电的最小栅源电压。 發(fā)表于：2024/12/23 <…143144145146147148149150151152…>
