8月3日消息，據(jù)etnews報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在2025年上半年量產(chǎn)321層NAND Flash之后，在2025年底開始量產(chǎn)400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過(guò)渡到大規(guī)模生產(chǎn)。

然而，要想量產(chǎn)高達(dá)400層的NAND Flash并不容易，生產(chǎn)過(guò)程中需要用到多種鍵合技術(shù)。SK海力士已經(jīng)在審查用于鍵合的新材料，并研究各種技術(shù)，這些技術(shù)將允許通過(guò)拋光、蝕刻、沉積和布線等方法連接不同的晶圓。

整個(gè)過(guò)程需要幾個(gè)步驟，如Cell結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，重點(diǎn)是每層Cell的排列和堆疊。然后通過(guò)清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來(lái)制備硅片。然而，當(dāng)通過(guò)大量重復(fù)逐一堆疊層時(shí)，該過(guò)程需要細(xì)致地執(zhí)行。

SK海力士達(dá)到400層的方法是通過(guò)Peripheral Under Cell方法將控制存儲(chǔ)單元的外圍電路位于底部，而存儲(chǔ)單元?jiǎng)t堆疊在頂部。這種方法會(huì)提升集成度，控制尺寸，但也確實(shí)會(huì)帶來(lái)?yè)p壞外圍電路的問(wèn)題，因?yàn)樘砑訉訒?huì)產(chǎn)生更多的熱量和壓力。

因此，SK海力士正計(jì)劃實(shí)施混合鍵合方法，該方法涉及在兩個(gè)單獨(dú)的晶圓上分別制造存儲(chǔ)單元和外圍電路。然后，通過(guò)混合鍵合技術(shù)將晶圓粘合在一起，以降低損壞的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)高層數(shù)，NAND芯片可以在不增加尺寸的情況下存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。這不僅為緊湊型系統(tǒng)節(jié)省了空間并增加了存儲(chǔ)容量，而且還帶來(lái)了更經(jīng)濟(jì)的存儲(chǔ)解決方案。

SK海力士此前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了321層NAND Flash的樣品，并于2023年8月展出，目前計(jì)劃于2025年上半年開始量產(chǎn)。美光最近推出了具有 276 層的NAND Flash。三星已開始大規(guī)模生產(chǎn)具有 290 層的TLC單元，即第 9 代垂直堆疊 NAND Flash。

相對(duì)于SK海力士400層NAND Flash的目標(biāo)，三星期待在2030年推出高達(dá)1000層的NAND Flash。而目前只達(dá)到218層NAND Flash的日本鎧俠公司計(jì)劃在三星之前達(dá)到1000層。