10 月 15 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子計(jì)劃投入約 1.1 萬億韓元（注：現(xiàn)匯率約合 54.92 億元人民幣）引進(jìn)兩臺(tái)最新的 High-NA 雙級(jí)極紫外（EUV）光刻機(jī)。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子此前僅在京畿道園區(qū)引進(jìn)過一臺(tái)用于研發(fā)的 High-NA EUV 設(shè)備，此次引進(jìn)的機(jī)器將用于“產(chǎn)品量產(chǎn)”，尚屬首次。三星電子計(jì)劃在年內(nèi)引進(jìn)一臺(tái)，并在明年上半年再引進(jìn)一臺(tái)。

Twin Scan EXE:5200B 是第二款 0.55 數(shù)值孔徑（NA）或“High-NA”極紫外光刻系統(tǒng)，也是 TWINSCAN EXE:5000 的升級(jí)版，在提升對(duì)準(zhǔn)精度的同時(shí)顯著提高了生產(chǎn)效率，被視為生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體芯片和高性能 DRAM 的必備設(shè)備。

相較于 NXE 系統(tǒng)，EXE:5200B 成像對(duì)比度提升 40%，分辨率達(dá) 8nm，使芯片制造商能夠通過單次曝光實(shí)現(xiàn)比 TWINSCAN NXE 系統(tǒng)精細(xì) 1.7 倍的電路刻蝕，從而將晶體管密度提升至原來的 2.9 倍。這有助于降低大規(guī)模生產(chǎn)中的工藝復(fù)雜性，提高客戶晶圓廠的晶圓產(chǎn)量。