8 月 6 日消息，3D 存儲器 IP 企業(yè) NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高帶寬內(nèi)存架構(gòu)概念，宣稱可實現(xiàn) 32000-bit 的超高位寬和 512Gb 的單層容量。

X-HBM 的兩大技術(shù)基礎(chǔ)是超高密度 I/O 通道和 NEO 此前提出的 X-DRAM 高容量 3D 內(nèi)存。

該企業(yè)宣稱可通過 0.5μm (500nm) 間距超精細混合鍵合在 HBM 所需 DRAM Die 上創(chuàng)造 32000-bit 超寬 I/O，而目前即將進入商業(yè)化的 HBM4 內(nèi)存也僅有 2048-bit。

而在容量方面，NEO Semiconductor 稱其現(xiàn)有技術(shù)可通過 300 層堆疊技術(shù)在單層 DRAM Die 上實現(xiàn) 300Gb 容量，這已經(jīng)是當(dāng)下 HBM 領(lǐng)域所用 24Gb Die 的 12.5 倍。而未來 X-HBM 中的單 Die 將可實現(xiàn) 500+ 層陣列堆疊，單 Die 容量隨之提升到 512Gb (64GB)。

NEO Semiconductor 稱按照傳統(tǒng)的 2D DRAM HBM 技術(shù)演進，到 2038 年的 HBM8 才能實現(xiàn) 16384-bit I/O 和 80Gb 單 Die 容量，而基于 3D DRAM 的 X-HBM 將顯著加速存儲發(fā)展進程，助推 AI 算力飛躍。