5 月 22 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功開發(fā)出搭載全球最高 321 層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存的移動端解決方案產(chǎn)品 UFS 4.1。

SK 海力士表示：“為了在移動設備上實現(xiàn)端側（On-device）AI 的穩(wěn)定運行，所搭載的 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對 AI 工作負載優(yōu)化的 UFS 4.1 產(chǎn)品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位?！?/p>

據(jù)介紹，隨著端側 AI 的需求持續(xù)增長，終端設備的計算性能與電池效率之間的平衡日趨關鍵，超薄設計和低功耗特性已成為移動設備的行業(yè)標準。

順應這一趨勢，公司此次開發(fā)的新品較上一代基于 238 層 NAND 閃存的產(chǎn)品能效提升了 7%。同時，成功將產(chǎn)品厚度從 1mm 減薄至 0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。

查詢獲悉，該產(chǎn)品支持第四代 UFS 產(chǎn)品的順序讀取峰值，數(shù)據(jù)傳輸速率高達 4300MB/s。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產(chǎn)品分別提升了 15% 與 40%，達到現(xiàn)存 UFS 4.1 產(chǎn)品中全球領先水平。

該產(chǎn)品提供 512GB 和 1TB 兩種容量規(guī)格。公司計劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產(chǎn)階段。