《電子技術(shù)應(yīng)用》
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)

推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)
2025-03-11
來(lái)源:CGD

2025年3月11日 英國(guó)劍橋 -無(wú)晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用,該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件(IPM)中,最大限度地提高了效率,為昂貴的碳化硅(SiC)解決方案提供了具有成本效益的替代方案。

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Giorgia longobardi博士 | CGD   創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官

“目前,電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)逆變器要么使用低成本、在輕負(fù)載條件下效率低的 IGBT,要么使用高效但價(jià)格昂貴的 SiC 器件。我們新推出的聯(lián)合 ICeGaN 解決方案將通過(guò)智慧地結(jié)合 GaN 和硅技術(shù)的優(yōu)勢(shì)保持器件的低成本和高效率,徹底改變電動(dòng)汽車(chē)行業(yè),為電動(dòng)汽車(chē)提供更快的充電和更長(zhǎng)的續(xù)航里程。CGD已經(jīng)與一級(jí)電動(dòng)汽車(chē)制造商及其供應(yīng)鏈合作伙伴展開(kāi)合作,將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)推向市場(chǎng)。”

   


 

CGD 專有的 Combo ICeGaN 解決方案利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件具有相似驅(qū)動(dòng)電壓范圍(例如0-20V)和出色柵極穩(wěn)健性的特點(diǎn),讓雙方在并行架構(gòu)中運(yùn)行。由于 ICeGaN 的開(kāi)關(guān)非常高效,器件在相對(duì)較低的電流(輕負(fù)載)下運(yùn)行時(shí)具有低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗;而在相對(duì)較高的電流(接近滿載或浪涌條件)下 IGBT 可以主導(dǎo),因此 Combo ICeGaN 得益于 IGBT 的高飽和電流和雪崩箝位能力和ICeGaN 的高效開(kāi)關(guān)性能。還有,在較高溫度下,IGBT 的雙極性元件將在較低的導(dǎo)通電壓下開(kāi)始導(dǎo)通,補(bǔ)充 ICeGaN 中的電流損失。相反,在較低的溫度下,ICeGaN 將吸收更多的電流。在智能的管理下,其傳感和保護(hù)功能可更加優(yōu)化地驅(qū)動(dòng) Combo ICeGaN,增強(qiáng) ICeGaN 和 IGBT 器件的安全工作區(qū)(SOA)。

 

ICeGaN 技術(shù)使電動(dòng)汽車(chē)工程師能夠在DC-DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器(OBC)和某些潛在的牽引逆變器方案中享受 GaN 的優(yōu)勢(shì)。Combo ICeGaN 則將 CGD 的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步擴(kuò)展到更大的、100kW 以上的牽引逆變器市場(chǎng)。CGD 的 ICeGaN IC 久經(jīng)市場(chǎng)檢驗(yàn),IGBT 也已在牽引逆變器和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用方面有著悠久而可靠的歷史。CGD 還擁有專有的 ICeGaN 器件與 SiC MOSFET 并聯(lián)的解決方案。更多細(xì)節(jié)已披露在IEDM paper中。CGD預(yù)計(jì)將在今年年底前推出 Combo ICeGaN 的演示板。

 


FLORIN   UDREA 教授 | CGD 創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官

“我已經(jīng)在功率器件領(lǐng)域工作了三十年,這是我第一次看到如此完美互補(bǔ)的技術(shù)搭配。ICeGaN 速度極快,在輕負(fù)載條件下表現(xiàn)出色;而 IGBT 在滿載、浪涌條件和高溫下具有巨大的優(yōu)勢(shì)。ICeGaN 提供片上智能;IGBT 提供雪崩能力。它們都是硅基,具有成本、結(jié)構(gòu)和便于制造的優(yōu)勢(shì)?!?/p>

   


 

CGD 將參加于2025年3月16日至20日舉辦的APEC(應(yīng)用電力電子會(huì)議和博覽會(huì))。如需了解更多聯(lián)合ICeGaN 的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)蒞臨位于佐治亞州亞特蘭大佐治亞世界會(huì)議中心的2039號(hào) CGD 展位。

 

結(jié)語(yǔ)

 

關(guān)于 Cambridge GaN Devices

 

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與商業(yè)化,以實(shí)現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過(guò)提供易于實(shí)現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案,將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術(shù)經(jīng)證明適合大批量生產(chǎn),并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴(kuò)大規(guī)模。CGD 是一家無(wú)晶圓廠企業(yè),孵化自劍橋大學(xué)。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)背后有不斷擴(kuò)充的強(qiáng)大知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合做支撐,這也是公司努力創(chuàng)新的結(jié)晶。CGD 團(tuán)隊(duì)在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識(shí)以及在功率電子器件市場(chǎng)上的大量突出表現(xiàn),為其專有技術(shù)在市場(chǎng)上的認(rèn)可程度奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。


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