1 月 13 日消息，據(jù)韓媒“每日經(jīng)濟新聞”報道，三星電子正在美國得克薩斯州泰勒市建設(shè)一座先進的半導(dǎo)體芯片工廠，該公司聲稱其獲得了美國政府提供的 47.4 億美元（注：當(dāng)前約 348.34 億元人民幣）激勵資金，相應(yīng)工廠計劃于 2026 年開始大規(guī)模芯片生產(chǎn)，目標(biāo)是與臺積電展開競爭。

據(jù)報道，三星美國泰勒工廠將生產(chǎn) 2 納米和 3 納米工藝芯片。公司計劃在 2026 年初引入所有必要設(shè)備，并在年底前啟動量產(chǎn)。相比之下，三星的最大競爭對手臺積電已經(jīng)在其位于美國亞利桑那州的工廠開始生產(chǎn) 4 納米芯片，并計劃在今年內(nèi)具備生產(chǎn) 2 納米和 3 納米芯片的能力。

在技術(shù)上，三星將在 2 納米和 3 納米工藝中采用全柵極（Gate-All-Around, GAA）技術(shù)，而臺積電則會在 3 納米工藝中使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，并在 2nm 工藝中轉(zhuǎn)向 GAA 技術(shù)。盡管三星在進度上略晚于臺積電，但其計劃通過提供“從開發(fā)到生產(chǎn)的一站式解決方案”吸引客戶，據(jù)稱可將代工項目“從設(shè)計到量產(chǎn)的時間縮短約 20%”。