7 月 4 日消息，韓媒 NewDaily 報(bào)道稱(chēng)，三星電子通過(guò)了英偉達(dá)的 HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試。三星即將開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) HBM 內(nèi)存芯片，并就供應(yīng)問(wèn)題與英偉達(dá)展開(kāi)談判。

▲ 三星電子 HBM3e 12 層產(chǎn)品

三星電子最近收到了來(lái)自英偉達(dá)的 HBM3e 質(zhì)量測(cè)試 PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)）通知。這是三星應(yīng)英偉達(dá)要求，派遣負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存開(kāi)發(fā)的高管前往美國(guó)一個(gè)多月后取得的成果。

據(jù)IT之家此前報(bào)道，今年 3 月，英偉達(dá) CEO 黃仁勛表示已經(jīng)開(kāi)始驗(yàn)證三星的 HBM 內(nèi)存芯片。5 月有消息稱(chēng)三星 HBM 內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。黃仁勛在 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上，表示仍在認(rèn)證三星公司的 HBM 內(nèi)存，否認(rèn)三星 HBM 未通過(guò)任何英偉達(dá)測(cè)試。

外媒稱(chēng)，三星迫切需要向英偉達(dá)供應(yīng) HBM，通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試意味著從下半年開(kāi)始，HBM 的業(yè)績(jī)可能實(shí)現(xiàn)“飛躍”。受此消息影響，三星電子股價(jià) 7 月 4 日上漲 3.6%，達(dá)到 4 月 12 日以來(lái)的最高點(diǎn)；SK 海力士（英偉達(dá) HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商之一）股價(jià)下跌 4.7%，創(chuàng) 6 月 24 日以來(lái)最大跌幅。