據(jù)科技媒體ZDNET Korea報道，業(yè)界消息稱，國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織（JEDEC）的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)定為775微米（μm），比上一代的720微米更厚。據(jù)悉，該協(xié)議預(yù)計將對三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存制造商的未來封裝投資趨勢產(chǎn)生重大影響。如果封裝厚度為775微米，使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)就可以充分實現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4?？紤]到混合鍵合的投資成本巨大，存儲器公司很可能將重點(diǎn)放在升級現(xiàn)有鍵合技術(shù)上。
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