據(jù)韓媒 DealSite 報(bào)道，SK 海力士、三星電子今年針對(duì) HBM 內(nèi)存大幅擴(kuò)產(chǎn)。不過(guò) HBM 內(nèi)存有著良率較低等問(wèn)題，難以跟上 AI 市場(chǎng)相關(guān)需求。

作為 AI 半導(dǎo)體市場(chǎng)搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級(jí)封裝（WLP）：在基礎(chǔ)晶圓上通過(guò) TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問(wèn)題就意味著整個(gè) HBM 堆棧的報(bào)廢。

▲ HBM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)示意圖。圖源 SK 海力士

以 8 層堆疊產(chǎn)品為例，如果每一次堆疊的良率均為 90%，那整體 HBM 堆棧的良率就僅有 43%，超一半 DRAM 被丟棄。而當(dāng) HBM 進(jìn)入到 12 層乃至 16 層堆疊，良率則會(huì)進(jìn)一步降低。

DealSite 表示，目前 HBM 內(nèi)存整體良率在 65% 左右，明顯低于傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品，而由于 WLP 的性質(zhì)，良率也難以達(dá)到 80% 乃至 90%。

另一方面，SK 海力士、三星兩家在 HBM 內(nèi)存中占主導(dǎo)地位的廠商，今年均大幅擴(kuò)張產(chǎn)能。

據(jù)韓券商 Kiwoom Securities 估計(jì)，三星電子的 HBM 內(nèi)存月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將從去年第二季的 2.5 萬(wàn)片晶圓增加到今年第四季度的 15~17 萬(wàn)片；同期，SK 海力士的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將從 3.5 萬(wàn)片躍升至 12~14 萬(wàn)片。

不過(guò)相對(duì) AI 市場(chǎng)對(duì) HBM 內(nèi)存需求，SK 海力士和三星的產(chǎn)能增幅仍顯不足：根據(jù)IT之家近日?qǐng)?bào)道，SK 海力士高管再次確認(rèn)今年 HBM 產(chǎn)能配額已經(jīng)售罄；另?yè)?jù)韓媒 NEWSIS 去年末報(bào)道，三星也早已就今年產(chǎn)能完成了同大客戶的談判。