美光技術(shù)公司正在使用極紫外（EUV）光刻技術(shù)來(lái)加快DRAM的開發(fā)。它正在參加由世界排名第一和第二的DRAM制造商三星電子和SK Hynix發(fā)起的競(jìng)賽。

　　美光科技公司正在尋找工程師，他們將通過(guò)各種招聘站點(diǎn)負(fù)責(zé)開發(fā)EUV設(shè)施。工程師將負(fù)責(zé)開發(fā)EUV掃描儀技術(shù)，管理新的EUV設(shè)備并與ASML（世界上唯一的EUV設(shè)備生產(chǎn)商）進(jìn)行通信。

　　美光在全球DRAM市場(chǎng)中排名第三，僅次于三星電子和SK Hynix。它的市場(chǎng)份額約為20％。

　　美光最近在NAND閃存領(lǐng)域首次推出了176層產(chǎn)品。與其他頂級(jí)DRAM制造商一樣，該公司正在生產(chǎn)10納米第三代（1z）產(chǎn)品。預(yù)計(jì)該芯片制造商將在2021年上半年推出第四代（1a）DRAM。

　　但是，美光與三星電子和SK海力士之間的主要區(qū)別在于，美光不會(huì)將EUV技術(shù)應(yīng)用于1a DRAM。

　　美光公司在最近的一份聲明中建議，鑒于高成本和技術(shù)局限性，它甚至可能不會(huì)將EUV技術(shù)應(yīng)用于下一代DRAM“ 1-beta”產(chǎn)品。

　　美光公司副總裁Scott DerBauer表示，該公司將在1-delta產(chǎn)品的生產(chǎn)中引入EUV工藝。