2024 年 3 月 4 日，中國上海 —— 全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)領先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。

　　HBM3E：推動人工智能革命

　　隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內存解決方案對于滿足工作負載需求的增加至關重要。美光 HBM3E 解決方案通過以下優(yōu)勢直面這一挑戰(zhàn)：

• 卓越的性能：美光 HBM3E 引腳速率超過 9.2Gb/s，提供超過 1.2TB/s 的內存帶寬，助力人工智能加速器、超級計算機和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)超高速的數(shù)據(jù)訪問。

• 出色的能效：美光 HBM3E 功耗比競品低約 30%， 處于行業(yè)領先地位。為支持日益增長的人工智能需求和用例，HBM3E 以更低功耗提供更大吞吐量，從而改善數(shù)據(jù)中心的主要運營支出指標。

• 無縫的可擴展性：美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量，使數(shù)據(jù)中心能夠無縫擴展其人工智能應用。無論是用于訓練海量神經(jīng)網(wǎng)絡還是加速推理任務，美光的解決方案都提供了必要的內存帶寬。

　　美光執(zhí)行副總裁暨首席商務官 Sumit Sadana 表示：“美光憑借 HBM3E 這一里程碑式產(chǎn)品取得了三大成就：領先業(yè)界的上市時間、引領行業(yè)的性能和出眾的能效表現(xiàn)。人工智能工作負載在很大程度上依賴于內存帶寬和容量。美光擁有業(yè)界領先的 HBM3E 和 HBM4 產(chǎn)品路線圖，以及為 AI 應用打造的 DRAM 和 NAND 全套解決方案，為助力人工智能未來的大幅增長做足了準備?！?/p>

　　美光利用其 1β（1-beta）技術、先進的硅通孔（TSV）和其他實現(xiàn)差異化封裝解決方案的創(chuàng)新技術開發(fā)出業(yè)界領先的 HBM3E 設計。美光作為 2.5D/3D 堆疊和先進封裝技術領域長久以來的存儲領導廠商，有幸成為臺積電 3Dfabric 聯(lián)盟的合作伙伴成員，共同構建半導體和系統(tǒng)創(chuàng)新的未來。

　　美光將于 2024 年 3 月出樣 12 層堆疊的 36GB 容量 HBM3E，提供超過 1.2TB/s 的性能和領先于競品的卓越能效，從而進一步強化領先地位。美光將贊助 3 月 18 日開幕的英偉達 GTC 全球人工智能大會，屆時將分享更多前沿 AI 內存產(chǎn)品系列和路線圖。

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