最近，因為國家將投入巨資支持第三代半導(dǎo)體的新聞的流傳，讓本來就有了很高關(guān)注度的GaN和SiC等產(chǎn)業(yè)又獲得了高度關(guān)注，據(jù)媒體相關(guān)盤點，也有不少企業(yè)已經(jīng)投入到這個市場。下面我們從華潤微和賽微的兩份調(diào)研報告，看看國內(nèi)企業(yè)是如何看第三代半導(dǎo)體的。

　　首先看GaN方面，賽微電子董秘張阿斌認(rèn)為，GaN 產(chǎn)業(yè)起步相對較晚，2005 年以后氮化鎵才應(yīng)用在微波或功率器件，所以從這個角度來講，氮化鎵是我國與歐美日韓國際半導(dǎo)體企業(yè)差距最小的分支，我國在氮化鎵的起步并不晚，尤其是在 LED、雷達(dá)方面國家近年來大力扶持，因此這塊比較具有領(lǐng)先地位，在微波和功率器件方面，近幾年除了國家政策的支持外，有很多國內(nèi)企業(yè)向此進(jìn)軍。

　　當(dāng)然，代工或產(chǎn)能確實是個門檻，IDM 模式從做大做強和成長迭代方面肯定具有優(yōu)勢；國內(nèi)市場應(yīng)用在功率、微波領(lǐng)域都比較有優(yōu)勢，市場需求加上國內(nèi)一流的人才集聚以及資本力量，相信國內(nèi)能很快趕上來。

　　華潤微方面則認(rèn)為，基于技術(shù)和市場因素考量，他們看好硅基氮化鎵功率器件領(lǐng)域，此領(lǐng)域目前明確的市場是緊湊型adapter，隨著時間的推移和技術(shù)的成熟，新的應(yīng)用領(lǐng)域會出現(xiàn)。

　　再看SiC方面，華潤微方面表示，由于成本較高，SiC 的應(yīng)用主要集中在工業(yè)和汽車領(lǐng)域，所以他們認(rèn)為這類產(chǎn)品目前比較確定的應(yīng)用領(lǐng)域是高端電源、太陽能逆變器和 UPS。在問到對于SiC與Si的取代關(guān)系時，華潤微回應(yīng)道，因為第三代化合物半導(dǎo)體的成本比較高，不可能完全取代硅器件?，F(xiàn)在 SiC 遇到的機遇是硅器件近些年發(fā)展遇到了瓶頸，有些性能已經(jīng)無法突破，需要 SiC 來解決硅器件無法解決的問題。

　　“GaN 和 SiC 都屬于第三代半導(dǎo)體，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性，都適合做功率電子應(yīng)用，氮化鎵具有高導(dǎo)通能力，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢。另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢，良率、熱導(dǎo)率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強的散熱優(yōu)勢。簡單來說，在功率系統(tǒng)里，大于 10KW 以上的汽車逆變器、軌道交通、發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅更有優(yōu)勢，在 10KW 以下的快充、智能家電、無線充電、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵有更多的優(yōu)勢。碳化硅（SiC）技術(shù)我們現(xiàn)在也可以做，但主要取決于客戶需求?！睆埌⒈笳f。