9月10日，合盛硅業(yè)宣布，下屬單位寧波合盛新材料有限公司（以下簡稱“合盛新材料”），于近期正式宣布8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項目已實現(xiàn)全線貫通。這一里程碑式的成就標志著合盛新材料在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重大技術(shù)突破，全面躋身行業(yè)第一梯隊。

全智能生產(chǎn)車間

經(jīng)過五年的潛心研究與深入鉆研，合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長、襯底加工等全流程的核心技術(shù)難關(guān)。自2023年起，公司聚焦市場需求，專項攻克8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底技術(shù)，經(jīng)過近兩年的理論深化與技術(shù)迭代，現(xiàn)已實現(xiàn)高質(zhì)量產(chǎn)品的穩(wěn)定量產(chǎn)。

8英寸襯底

8英寸晶錠

該8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底在多項關(guān)鍵性能指標上均展現(xiàn)出卓越優(yōu)勢。通過精密的工藝控制與技術(shù)創(chuàng)新，襯底的微管密度顯著降低至0.05/cm2以下，確保了襯底的高純度與高質(zhì)量。同時，4H晶型面積比例達到100%，展現(xiàn)了極高的晶體完整性與穩(wěn)定性。電阻率穩(wěn)定在0.015-0.025Ω·cm之間，相對標準偏差小于4%，彰顯了材料優(yōu)異的性能。

在結(jié)晶質(zhì)量與位錯控制方面，合盛同樣表現(xiàn)出色。通過高分辨X射線衍射測試，襯底的5點搖擺曲線半峰寬平均值小于30arcsec，表明其結(jié)晶質(zhì)量達到了行業(yè)頂尖水平。此外，位錯密度（TSD≤20/cm2，BPD≤200/cm2）表現(xiàn)優(yōu)異，進一步提升了襯底的可靠性與應(yīng)用潛力。

加工能力方面，合盛新材料已具備生產(chǎn)500μm和350μm厚度8英寸襯底的成熟工藝，產(chǎn)品面型數(shù)據(jù)（LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW：-15μm～15μm，Warp≤30μm）均達到國際先進水平，滿足了高端電子器件對襯底平整度的嚴苛要求。同時，公司嚴格控制襯底表面金屬離子濃度≤5E10 atoms/cm2，確保產(chǎn)品符合國內(nèi)外客戶對表面質(zhì)量的高標準要求。

在外延工藝驗證中，采用合盛8英寸襯底生產(chǎn)的外延片表現(xiàn)出色，膜厚均勻性與摻雜均勻性均高于行業(yè)平均水平，致命缺陷密度低于0.3顆/cm2，可用面積超過99%，充分證明了合盛在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的強大實力與技術(shù)創(chuàng)新能力。

合盛硅業(yè)表示，8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底的全線貫通，不僅為合盛自身發(fā)展注入了強勁動力，更為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支撐。未來，合盛新材料將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，為推動全球科技進步貢獻更多“中國智慧”與“中國力量”。