前言：

奇夢達的衰落，使得歐洲再無儲存器。而我國從飽受儲存器進口之苦，到可以預見的儲存器產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)潮，這一路并不平坦。

合肥長鑫成國內(nèi)首家內(nèi)存供應商

合肥長鑫起源于“506項目”，項目的發(fā)展目標就是成為國內(nèi)自主發(fā)展主流DRAM存儲器IDM。

2017年3月合肥長鑫12英寸項目一期廠房開工建設(shè)；

2018年1月一期廠房建設(shè)完成開始設(shè)備安裝；

2018年7月16日，合肥長鑫12英寸DRAM項目正式投產(chǎn)電性片；

2018年底19納米8GB DDR4工程樣片下線；

2019年第三季度8GB LPDDR4正式投產(chǎn)。

也就是在去年9月，合肥長鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，成為首家國產(chǎn)內(nèi)存供應商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對外供應DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。

預計今年底擴展到4萬片晶圓／月，產(chǎn)能大約能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3％。

DDR4芯片是中國第一顆自主研發(fā)的19納米DRAM芯片，和國際主流DRAM工藝同步，與此同時，其正在進行17納米工藝研發(fā)，預計2021年完成。

合肥長鑫主攻是移動式存儲產(chǎn)品，目前中國國內(nèi)品牌手機出貨已占全球四成以上，LPDDR4的順利量產(chǎn)并達到理想的良率，將有助于進口替代的策略。

長鑫存儲填補了國內(nèi)DRAM的空白，有望突破韓國、美國企業(yè)在國際市場的壟斷地位。

內(nèi)存技術(shù)來源得益于奇夢達

奇夢達在2008年已經(jīng)成功研發(fā)完成堆疊式DRAM技術(shù)Buried Wordline，基于Buried Wordline的46nm工藝產(chǎn)品完成研發(fā)，與公司上一代58nm工藝相比，晶圓數(shù)量增加100％。

只可惜，金融危機爆發(fā)，DRAM價格斷崖式下滑，奇夢達無法讓Buried Wordline技術(shù)進入大生產(chǎn)，而在2009年破產(chǎn)后，Buried Wordline技術(shù)被封存。

當年全球 DRAM 技術(shù)架構(gòu)分為兩大陣營，一種是溝槽式技術(shù)，以奇夢達為代表，另一種是堆疊式技術(shù)，包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

業(yè)界表示，奇夢達 2009 年破產(chǎn)后，從此歐洲最后一家存儲大廠也結(jié)束了，但奇夢達手上有眾多專利，尤其是 Buried Wordline 技術(shù)，還是持續(xù)向許多半導體公司收取授權(quán)費用，有點像是一家專利公司的角色。

而長鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2．8TB數(shù)據(jù)。

合肥長鑫基于授權(quán)所獲得的奇夢達Buried Wordline相關(guān)技術(shù)和從全球招攬擁有豐富經(jīng)驗的人才，借助先進的制造裝備把奇夢達的46納米技術(shù)平穩(wěn)推進到了10納米級別。公司目前也已經(jīng)開始了HKMG、EUV和GAA等新技術(shù)的探索。

長鑫公司在此基礎(chǔ)上將奇夢達46nm工藝的內(nèi)存改進，研發(fā)出了10nm級的自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

技術(shù)發(fā)展路線各家大體一致

從長鑫存儲DRAM技術(shù)發(fā)展的路線規(guī)劃來看，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5、GDDR6，雖然未公布具體時間節(jié)點，但產(chǎn)品發(fā)展線路與三星、SK海力士、美光等國際大廠DRAM發(fā)展大體一致。

全球主要的DRAM廠商三星、SK海力士、美光等目前采用的是1Znm DRAM技術(shù)。其中三星在2019年3月宣布將在下半年采用1Znm工藝技術(shù)量產(chǎn)8Gb DDR4，生產(chǎn)率提高20％以上；

美光也在8月份大規(guī)模生產(chǎn)1Znm 16Gb DDR4產(chǎn)品，SK Hynix也采用第三代10nm級（1znm）工藝開發(fā)出了16Gbit DDR4。

長鑫存儲還規(guī)劃將采用10G3（17nm工藝）發(fā)展DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5產(chǎn)品，采用10G5工藝推出DDR5、LPDDR5以及GDDR6產(chǎn)品，該技術(shù)是使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù)，并在未來導入使用柱狀電容器、全能柵極晶體管以及極紫外光刻（EUV）工藝。

奇夢達的興衰就是歐洲存儲的命運

2005年7月，英飛凌發(fā)布2005年第三季度財務(wù)報告，英飛凌的內(nèi)存部門，同比營收跌幅達到了19％。

隨后，英飛凌加快了重組進度，并于2006年5月1日完成，這比計劃提前了兩個月。由內(nèi)存部門剝離的新公司，命名為“奇夢達”。

奇夢達是當時全球內(nèi)存廠商中，率先投資12英寸晶圓的廠家，奇夢達約三份二DRAM內(nèi)存是使用300mm晶圓生產(chǎn)，是全球300mm晶圓使用率最高的企業(yè)；

在2006年9月，奇夢達與南亞科合作，宣布了75nmDRAM溝槽式技術(shù)，75nm工藝的出現(xiàn)，比90nm工藝進一步減低芯片的尺寸，從而達到每塊晶圓的可分割量約40％的增長。

2007年，作為全球第四大DRAM供應商，奇夢達發(fā)布GDDR5白皮書，其GDDR5顯存生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)批量試產(chǎn)。而當時世界的主流儲存器芯片是GDDR4，對于一心試圖跳過GDDR4直接上GDDR5的奇夢達來說，這無疑是個巨大的進步。

但在2008年上半年，其營收為9．25億歐元，較前一年同期減少57％，2008年上半財年度的稅前息前凈虧損為10．58億歐元，而2007財年上半年，奇夢達稅前息前凈利還有可觀的3．35億歐元。

也就是說，短短一年的時間，奇夢達從一家盈利超過3億歐元的公司，變成了一家凈虧損超過10億歐元的公司，利潤跌幅超過300％。

最終，奇夢達沒有等到批準，也沒用等到援助資金，只能無奈的宣布破產(chǎn)，時間是2009年1月23日，歐洲儲存器之光奇夢達，短短3年時間里走到了盡頭。

長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited已達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。這些專利由德國制造商奇夢達開發(fā)，Polaris從其母公司英飛凌購得。

依據(jù)雙方達成的獨立專利采購協(xié)議，長鑫存儲從Polaris購得相當數(shù)量的DRAM專利，此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款未予披露。

合肥長鑫通過兩次合作，基本上將奇夢達遺留在外的專利收歸囊中，但是依舊沒辦法完全規(guī)避DRAM的技術(shù)專利風險，畢竟在奇夢達破產(chǎn)案中，其當時領(lǐng)先世界的技術(shù)被華邦和爾必達、華亞科及鎂光獲得一部分，這部分也有可能成為后期專利戰(zhàn)的風險。

結(jié)尾：

在可以預期的2－3年內(nèi)，國產(chǎn)內(nèi)存極有可能會面臨著出生即落后的境遇。而由于制程與產(chǎn)能的雙重落后，國產(chǎn)內(nèi)存在短期內(nèi)很難對國際DRAM市場格局造成影響。但從長期來說，國產(chǎn)存儲芯片的大規(guī)模投產(chǎn)一定會對市場格局造成沖擊。