近日，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子將對(duì)其位于西安的芯片工廠加注80億美元（約合562億人民幣）投資，以擴(kuò)大NAND閃存芯片產(chǎn)能。

據(jù)了解，該筆投資是三星西安閃存芯片項(xiàng)目的二期第二階段投資，此前已完成108億美元的一期投資。二期項(xiàng)目已完成第一階段投資約70億美元，目前進(jìn)入第二階段，預(yù)計(jì)二期項(xiàng)目會(huì)在2021年下半年竣工，建成后將新增產(chǎn)能每月13萬(wàn)片，新增產(chǎn)值300億元。

圖片源自O(shè)Fweek電子工程網(wǎng)

5G浪潮漸起，NAND閃存芯片市場(chǎng)向好

隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND閃存技術(shù)的出現(xiàn)也逐漸受到人們重視，作為一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)）。其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。

由于NAND閃存具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。

對(duì)于本次三星增資80億美元擴(kuò)大西安芯片工廠產(chǎn)能一事，有分析認(rèn)為，近兩年來(lái)以手機(jī)為主的移動(dòng)產(chǎn)品端市場(chǎng)需求總量下降，目前整個(gè)NAND閃存產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)處理低迷狀態(tài)。但是隨著5G技術(shù)的興起，全球閃存市場(chǎng)或?qū)⒃?020年出現(xiàn)回溫，尤其是中國(guó)市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)大批量的5G手機(jī)，因此三星提前布局中國(guó)市場(chǎng)，加碼投資也是情理之中。此外，三星作為2018年的NAND閃存芯片市場(chǎng)的霸主，約占全球市場(chǎng)的35％，此舉也可能是為了進(jìn)一步鞏固自己的領(lǐng)先地位。

NAND閃存芯片領(lǐng)域“龍爭(zhēng)虎斗”

縱觀全球NAND閃存芯片市場(chǎng)，豪強(qiáng)四起，三星雖然長(zhǎng)期保持領(lǐng)先地位，但它身后也緊跟著不少有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

國(guó)外

SK海力士

海力士成立于1983年，2012年2月SK集團(tuán)已完成對(duì)海力士公司主要股權(quán)的收購(gòu)，后來(lái)名稱變更為“SK海力士（SKhynix）”。公司以生產(chǎn)和提供電腦和移動(dòng)產(chǎn)品等IT設(shè)備必需的DRAM和NAND閃存為主力產(chǎn)品。自1984年生產(chǎn)16KbSRAM以來(lái)，之后持續(xù)提供世界最小，最高速，最低電壓的內(nèi)存半導(dǎo)體。SK海力士公司不僅在韓國(guó)，也在世界IT產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位，是世界第二大內(nèi)存芯片廠商。

SK海力士2019年Q3財(cái)報(bào)顯示，公司總收入相對(duì)于上個(gè)季度有所上升，漲幅達(dá)6％，不過(guò)相較于去年同期仍然是沒(méi)有辦法比的，少了40％。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)與總收入相反，相比上季度還下降了26％，比去年同期更是低了93％，主營(yíng)業(yè)務(wù)情況不太樂(lè)觀。主要原因是當(dāng)下存儲(chǔ)市場(chǎng)呈現(xiàn)一種供過(guò)于求的關(guān)系，并且這種關(guān)系還將繼續(xù)持續(xù)一段時(shí)間，而固態(tài)硬盤與內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)平穩(wěn)，不至于再出現(xiàn)此前價(jià)格雪崩的情況，后續(xù)市場(chǎng)回溫值得期待。

美光

美光是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、SSD固態(tài)硬盤和CMOS影像傳感器?？偣驹O(shè)于美國(guó)西北部愛(ài)達(dá)荷州。

目前，美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3DNAND存儲(chǔ)芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存，不過(guò)美光表示使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年在成本支出上表現(xiàn)不明顯。但美光認(rèn)為將在其后續(xù)RG工藝節(jié)點(diǎn)廣泛部署之后，到2021財(cái)年將真正開(kāi)始降低成本。

東芝

在今年6月，東芝突發(fā)斷電事故，事故導(dǎo)致工廠生產(chǎn)暫停了將近一周。事故發(fā)生后，東芝工廠生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)受到影響，合作伙伴西部數(shù)據(jù)也同時(shí)“遭殃”。雖然當(dāng)初業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)斷電事故會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)造成較大影響，不過(guò)從后續(xù)市場(chǎng)反應(yīng)來(lái)看還不算過(guò)分嚴(yán)重。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研報(bào)道顯示，2019年年初，東芝NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的市場(chǎng)份額已經(jīng)上升至35．6％，與三星的差距正在縮小。

西部數(shù)據(jù)

作為全球機(jī)械硬盤一哥，西部數(shù)據(jù)在2017年就率先宣布成功研發(fā)出96層3DNAND技術(shù)和QLCNAND，2018下半年開(kāi)始量產(chǎn)96層3DTLCNAND，并成功研發(fā)出96層QLCNAND，單Die容量最高可達(dá)1．33Tb。隨著市場(chǎng)需求的發(fā)展，西部數(shù)據(jù)還利用自身原有的NAND閃存資源擴(kuò)充SSD產(chǎn)品線，以及結(jié)合HDD產(chǎn)品，滿足大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。

國(guó)內(nèi)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

相比國(guó)外NAND閃存企業(yè)，國(guó)內(nèi)的玩家就比較少了，其中最具代表性的就是紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

今年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256GbTLC3DNAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。

這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。業(yè)界預(yù)測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快明年將跳過(guò)96層直接進(jìn)入128層3DNAND閃存的生產(chǎn)，這將有望接近甚至追趕上國(guó)際先進(jìn)水平。