近日，據外媒報道，三星電子將對其位于西安的芯片工廠加注80億美元（約合562億人民幣）投資，以擴大NAND閃存芯片產能。

據了解，該筆投資是三星西安閃存芯片項目的二期第二階段投資，此前已完成108億美元的一期投資。二期項目已完成第一階段投資約70億美元，目前進入第二階段，預計二期項目會在2021年下半年竣工，建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元。

圖片源自OFweek電子工程網

5G浪潮漸起，NAND閃存芯片市場向好

隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND閃存技術的出現(xiàn)也逐漸受到人們重視，作為一種非易失性存儲技術（即斷電后仍能保存數(shù)據）。其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。

由于NAND閃存具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

對于本次三星增資80億美元擴大西安芯片工廠產能一事，有分析認為，近兩年來以手機為主的移動產品端市場需求總量下降，目前整個NAND閃存產業(yè)市場處理低迷狀態(tài)。但是隨著5G技術的興起，全球閃存市場或將在2020年出現(xiàn)回溫，尤其是中國市場將會出現(xiàn)大批量的5G手機，因此三星提前布局中國市場，加碼投資也是情理之中。此外，三星作為2018年的NAND閃存芯片市場的霸主，約占全球市場的35％，此舉也可能是為了進一步鞏固自己的領先地位。

NAND閃存芯片領域“龍爭虎斗”

縱觀全球NAND閃存芯片市場，豪強四起，三星雖然長期保持領先地位，但它身后也緊跟著不少有力的競爭對手。

國外

SK海力士

海力士成立于1983年，2012年2月SK集團已完成對海力士公司主要股權的收購，后來名稱變更為“SK海力士（SKhynix）”。公司以生產和提供電腦和移動產品等IT設備必需的DRAM和NAND閃存為主力產品。自1984年生產16KbSRAM以來，之后持續(xù)提供世界最小，最高速，最低電壓的內存半導體。SK海力士公司不僅在韓國，也在世界IT產業(yè)中占據主導地位，是世界第二大內存芯片廠商。

SK海力士2019年Q3財報顯示，公司總收入相對于上個季度有所上升，漲幅達6％，不過相較于去年同期仍然是沒有辦法比的，少了40％。營業(yè)利潤與總收入相反，相比上季度還下降了26％，比去年同期更是低了93％，主營業(yè)務情況不太樂觀。主要原因是當下存儲市場呈現(xiàn)一種供過于求的關系，并且這種關系還將繼續(xù)持續(xù)一段時間，而固態(tài)硬盤與內存價格走勢平穩(wěn)，不至于再出現(xiàn)此前價格雪崩的情況，后續(xù)市場回溫值得期待。

美光

美光是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、SSD固態(tài)硬盤和CMOS影像傳感器?？偣驹O于美國西北部愛達荷州。

目前，美光科技已經流片第一批第四代3DNAND存儲芯片，它們基于美光全新的RG架構。該公司有望在2020年生產商用第四代3DNAND內存，不過美光表示使用新架構的存儲芯片將僅用于特定應用，因此明年在成本支出上表現(xiàn)不明顯。但美光認為將在其后續(xù)RG工藝節(jié)點廣泛部署之后，到2021財年將真正開始降低成本。

東芝

在今年6月，東芝突發(fā)斷電事故，事故導致工廠生產暫停了將近一周。事故發(fā)生后，東芝工廠生產運營受到影響，合作伙伴西部數(shù)據也同時“遭殃”。雖然當初業(yè)內預計斷電事故會對NAND閃存市場造成較大影響，不過從后續(xù)市場反應來看還不算過分嚴重。

根據市場調研報道顯示，2019年年初，東芝NAND閃存芯片業(yè)務的市場份額已經上升至35．6％，與三星的差距正在縮小。

西部數(shù)據

作為全球機械硬盤一哥，西部數(shù)據在2017年就率先宣布成功研發(fā)出96層3DNAND技術和QLCNAND，2018下半年開始量產96層3DTLCNAND，并成功研發(fā)出96層QLCNAND，單Die容量最高可達1．33Tb。隨著市場需求的發(fā)展，西部數(shù)據還利用自身原有的NAND閃存資源擴充SSD產品線，以及結合HDD產品，滿足大數(shù)據存儲需求。

國內

長江存儲

相比國外NAND閃存企業(yè)，國內的玩家就比較少了，其中最具代表性的就是紫光集團旗下長江存儲。

今年9月，長江存儲宣布開始量產基于Xtacking架構的64層256GbTLC3DNAND閃存。產品將應用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。

這是中國首次實現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片的量產，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。業(yè)界預測，長江存儲最快明年將跳過96層直接進入128層3DNAND閃存的生產，這將有望接近甚至追趕上國際先進水平。