10月31日，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音在臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（TSIA）年度論壇結(jié)語(yǔ)時(shí)表示，臺(tái)積電預(yù)計(jì)擴(kuò)增8000名研發(fā)人員，投入未來(lái)20、30年的科技、材料研發(fā)以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)研究。臺(tái)積電表示要在新竹新建研發(fā)中心，將其打造成臺(tái)灣的貝爾實(shí)驗(yàn)室，未來(lái)3納米以下的研發(fā)都會(huì)在此研發(fā)中心進(jìn)行。
這是劉德音首次針全新研發(fā)中心提出未來(lái)研發(fā)方針及定位。臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示，臺(tái)積電目前在晶圓代工先進(jìn)制程領(lǐng)先全球，臺(tái)積電此舉將更進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位，狠甩英特爾、三星等勁敵。
對(duì)于此前媒體報(bào)道的臺(tái)積電是否回去美國(guó)設(shè)廠的問(wèn)題，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音回應(yīng)表示，臺(tái)積電沒(méi)有受到美國(guó)國(guó)防部的壓力，但美國(guó)客戶(hù)的確有受到美國(guó)國(guó)防部的關(guān)心，希望國(guó)防相關(guān)產(chǎn)品能在美國(guó)生產(chǎn)。國(guó)防與商業(yè)產(chǎn)品有很多部分重疊，在美國(guó)生產(chǎn)，服務(wù)與成本都是挑戰(zhàn)，臺(tái)積電短期內(nèi)不會(huì)赴美生產(chǎn)，但會(huì)持續(xù)評(píng)估。
芯片行業(yè)的持續(xù)衰退令存儲(chǔ)芯片價(jià)格受挫，拖累三星電子第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比大降56％，連續(xù)第四個(gè)季度下滑，而且有可能在本季度迎來(lái)五連跌。不過(guò)，三星第三季度的凈利潤(rùn)為6．1萬(wàn)億韓元（約合52億美元），超出了5．5萬(wàn)美元的市場(chǎng)一致預(yù)期，這多虧了穩(wěn)健的三星智能機(jī)需求、為新款iPhone供應(yīng)屏幕緩解了存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的下滑。
本季度三星所有主力業(yè)務(wù)中， IT手機(jī)通訊、面板部門(mén)營(yíng)收利潤(rùn)均超去年同期水平，消費(fèi)電子品部門(mén)表現(xiàn)基本和去年持平。唯獨(dú)最賺錢(qián)的半導(dǎo)體部門(mén)，僅錄得3．05萬(wàn)億韓元（約合人民幣184．79億元）營(yíng)業(yè)利潤(rùn)，同比暴跌77．66％。這對(duì)三星來(lái)說(shuō)是不小的沖擊，面對(duì)持續(xù)的業(yè)績(jī)下滑，三星做了一些改革，其中就包括削減存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能及投資，加速轉(zhuǎn)向邏輯芯片代工。
在先進(jìn)制程上，三星一直要與臺(tái)積電一爭(zhēng)高下，不過(guò)在7nm、5nm工藝上進(jìn)度中，始終被臺(tái)積電壓著，三星在7nm節(jié)點(diǎn)上直接使用EUV工藝，不過(guò)這也拖累了進(jìn)度，雖然2018年就宣布量產(chǎn)了，但實(shí)際并沒(méi)有大規(guī)模出貨。在此次財(cái)報(bào)中，三星表示自家的7nmEUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，但是沒(méi)有公布具體信息，根據(jù)此前三星發(fā)布的Exynos 9825及5G SoC處理器Exynos 990這兩款芯片的信息來(lái)看，三星7nm EUV應(yīng)該量產(chǎn)的就是自家的這兩款芯片。雖然三星也接了IBM和英偉達(dá)這兩家7nm的訂單，但是這兩家的產(chǎn)品要發(fā)布還得等明年，所以三星的7nm目前還沒(méi)有用武之地。
目前臺(tái)積電的5nm已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，并有不錯(cuò)的良率表現(xiàn)。對(duì)此，根據(jù)供應(yīng)鏈的消息指出，目前已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段的5納米制程其良率達(dá)到了50％，而且月產(chǎn)能可上看8萬(wàn)片的規(guī)模。三星的5nm至今還沒(méi)有流片，三星只能在3nm押注了，因?yàn)檫@個(gè)節(jié)點(diǎn)業(yè)界會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管，三星是第一個(gè)公布3nm GAA工藝的，臺(tái)積電在這方面公布的信息比較少，不確定具體進(jìn)度。三星表示正在加速3nm研發(fā)，預(yù)計(jì)在2020年完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，后續(xù)會(huì)開(kāi)始測(cè)試、量產(chǎn)等進(jìn)程。