根據(jù)供應(yīng)鏈消息，中芯國(guó)際是中國(guó)最大的晶圓代工廠，目前擁有最新的14納米FinFET工藝，接近完成研發(fā)。其試生產(chǎn)的產(chǎn)量已經(jīng)可以達(dá)到95％。因此，從2019年開始批量生產(chǎn)的目標(biāo)似乎并不遙遠(yuǎn)。

　　據(jù)了解，根據(jù)中芯國(guó)際最新財(cái)務(wù)報(bào)告，中芯國(guó)際最先進(jìn)的工藝目前為28納米。不過，根據(jù)2018年第一季度的財(cái)務(wù)報(bào)告，28納米僅占其收入的3.2％。與聯(lián)電，英特爾等較慢的先進(jìn)工藝制造商相比，落后的一個(gè)世代以上，更不用說先進(jìn)技術(shù)。臺(tái)積電，格羅方德，三星等在工藝開發(fā)方面取得快速進(jìn)展的公司已準(zhǔn)備好進(jìn)入落后三代以上的7納米制程。

　　為了趕上這一差距，中芯國(guó)際不僅將在2017年底擔(dān)任三星電子和臺(tái)積電前高管梁孟松的聯(lián)席首席執(zhí)行官職務(wù)，而且主要希望以他過去的經(jīng)驗(yàn)來指導(dǎo)中芯國(guó)際在開發(fā)14nm FinFET。此過程的進(jìn)展將使中芯國(guó)際的14納米FinFET工藝在2019年達(dá)到其量產(chǎn)目標(biāo)。它還將在2018年初宣布將共同投資102.4億美元與兩大政府產(chǎn)業(yè)基金加速14納米。以下先進(jìn)的工藝研發(fā)和批量生產(chǎn)計(jì)劃最終實(shí)現(xiàn)了每月35,000片的產(chǎn)量。如今，中芯國(guó)際的14納米FinFET工藝達(dá)到了95％的良率，這相當(dāng)于邁向目標(biāo)的一大步。

　　事實(shí)上，隨著28-nm Poly / SiON工藝技術(shù)的成功大規(guī)模生產(chǎn)以及2018年2月采用28-nm High-K / Metal Gate（HKMG）工藝技術(shù)成功試制產(chǎn)品，試生產(chǎn)產(chǎn)量為高達(dá)98.在完成％后，與中國(guó)臺(tái)灣鑄造廠有著密切合作關(guān)系的廈門聯(lián)信在28nm節(jié)點(diǎn)上快速成熟。這種消息是針對(duì)目前代表中國(guó)大陸代工廠商領(lǐng)導(dǎo)者的中芯國(guó)際，因?yàn)?8nm HKMG工藝產(chǎn)量并沒有如預(yù)期的那樣好，過去14nm FinFET工藝不可能被打破，幾乎可以放棄鑄造廠的地位在大陸的領(lǐng)導(dǎo)者。今天，14納米FinFET工藝技術(shù)取得突破性進(jìn)展，矢量生產(chǎn)目標(biāo)向前邁出了一步，中芯國(guó)際能夠保持領(lǐng)先地位。

　　此外，除了內(nèi)部和核心競(jìng)爭(zhēng)外，中芯國(guó)際在14納米FinFET工藝上的突破也象征著與國(guó)際一級(jí)晶圓代工廠商的距離更近。除了臺(tái)積電，Globod和三星正積極部署7納米工藝，產(chǎn)品將于2018年底前出現(xiàn)，其中包括聯(lián)電和英特爾仍處于14納米節(jié)點(diǎn)。特別是，英特爾有望在2019年之后使用14納米制程。在這方面，一旦中芯國(guó)際的14納米FinFET工藝在未來正式投入批量生產(chǎn)，中芯國(guó)際的產(chǎn)品有可能會(huì)在大陸市場(chǎng)生產(chǎn)，目前產(chǎn)品已經(jīng)運(yùn)往海外原始設(shè)備制造商。中芯國(guó)際將獲得更多利潤(rùn)，但對(duì)于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言，這可能不是太好消息。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，雖然過去有大量資金，但他們計(jì)劃從Grooved購(gòu)買技術(shù)來加強(qiáng)SMIC 14nm FinFET工藝。然而，這一次，梁孟松等人領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)似乎在進(jìn)一步拉動(dòng)中芯國(guó)際的14納米制造工藝方面發(fā)揮了作用。但有消息人士指出，這件事不能由梁孟松獨(dú)自處理，而是梁孟松過去與臺(tái)灣和韓國(guó)有關(guān)人員的努力的結(jié)果。因此，中心國(guó)際線已經(jīng)達(dá)到了14納米的成功研發(fā)階段。在下一階段，它必須看到14納米工藝能給公司帶來多大的收益。