力晶科技成功轉(zhuǎn)型晶圓代工廠，5年來共賺進(jìn)新臺(tái)幣485億元，平均一年賺97億元。

　　力晶過去主要生產(chǎn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)，在經(jīng)歷2007年與2011年DRAM產(chǎn)業(yè)2次景氣寒冬，力晶因財(cái)務(wù)危機(jī)，面臨股票下柜窘境。

　　為求轉(zhuǎn)機(jī)，力晶轉(zhuǎn)型晶圓代工廠，除為記憶體模組廠金士頓與記憶體設(shè)計(jì)廠晶豪科代工生產(chǎn)記憶體，在面板驅(qū)動(dòng)IC、管理芯片及影像感測芯片代工領(lǐng)域也有不錯(cuò)成果。

　　力晶自2013年?duì)I運(yùn)轉(zhuǎn)虧為盈以來，已連續(xù)5年獲利，去年歸屬母公司凈利80.8億元，每股純益3.54元，為國內(nèi)獲利第2高的晶圓代工廠；力晶5年來共獲利485億元，平均一年賺97億元。

　　力晶繼去年恢復(fù)配發(fā)股利后，今年預(yù)計(jì)每股配發(fā)1.2元現(xiàn)金股息及0.5元股票股利。

　　隨著與金士頓委托代工合約期滿，力晶自金士頓買回設(shè)備，帶動(dòng)今年來業(yè)績穩(wěn)健成長，前2月營收87.42億元，年增19.79%，法人預(yù)期，力晶今年?duì)I運(yùn)應(yīng)可更上層樓。

　　從DRAM廠到晶圓廠的轉(zhuǎn)型

　　力晶于1994年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū)，早期專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體之生產(chǎn)，逐步擴(kuò)及及晶圓代工及Flash生產(chǎn)，并以大陸終端客戶為主要營收來源。公司自2010年9月14日起，減資暨更名為「力晶科技股份有限公司」，代碼簡稱：5346力晶。2012年12月11日因凈值轉(zhuǎn)為負(fù)數(shù)，自柜買中心下柜，股票停止買賣。

　　公司在生產(chǎn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體制程技術(shù)以三菱電機(jī)既有的技術(shù)為基礎(chǔ)，與日本的DRAM大廠Elpida締結(jié)策略聯(lián)盟，共同研發(fā)尖端DRAM技術(shù)。公司也和Renesas等國際大廠合作，開發(fā)生產(chǎn)高容量快閃記憶體（Data Flash），以期成為國內(nèi)最大之全方位記憶體公司。在邏輯代工制程技術(shù)方面，自日本三菱公司引進(jìn)0.25微米／0.18微米／0.15微米邏輯代工制程技術(shù)，并建立相關(guān)制程的設(shè)計(jì)資料庫及IP，以及開發(fā)Mixed-mode 、CIS等產(chǎn)品，以協(xié)助客戶順利量產(chǎn)新世代產(chǎn)品。代工業(yè)務(wù)主要為轉(zhuǎn)投資的8吋廠巨晶電子。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作伙伴，不斷引進(jìn)日方技術(shù)提升制程能力，已成為國內(nèi)最大動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體廠商。

　　力晶2008年第二季將產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)換為70nm制程，65nm制程于第三季進(jìn)入量產(chǎn)。

　　2009年獲金士頓及力成金援1.25億美元，以等值瑞晶股票作扺押，以解決財(cái)務(wù)缺口壓力。

　　2009年主流制程為65 納米制程，雖持續(xù)進(jìn)行制程微縮，但在2010年，仍無法負(fù)擔(dān)制程轉(zhuǎn)換的成本，因此生產(chǎn)成本與競爭對(duì)手差距仍大。

　　2009年底凈值約3元。

　　2011年4月，與Elpida達(dá)成的DRAM產(chǎn)銷新協(xié)議，使公司的專利授權(quán)、技轉(zhuǎn)費(fèi)用降低，并無償取得Mobile DRAM技術(shù)及銷售權(quán)，結(jié)合自行開發(fā)的NAND快閃記憶體技術(shù)，將針對(duì)高速成長的行動(dòng)應(yīng)用（Mobile Applications）新市場，提供完整的記憶體產(chǎn)品組合。

　　力晶積極轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，以及加重行動(dòng)型記憶體、快閃記憶體及代工業(yè)務(wù)營收，降低標(biāo)準(zhǔn)DRAM。

　　截至2011年11月產(chǎn)品比重方面，晶圓代工占60%、DRAM占30%、Nand Flash占10%。晶圓代工領(lǐng)域包括LCD驅(qū)動(dòng)IC、CMOS Sensor、類比IC、電源管理IC。

　　P3廠成為Flash與DRAM共同生產(chǎn)的12吋廠，月產(chǎn)能約11萬片。自2012年1月1日起，NAND Flash的投片量將正式超越DRAM，且DRAM投片產(chǎn)能將永遠(yuǎn)性的降低至20%以下，約當(dāng)2萬片。

　　DRAM制程方面，2012年將全部由40納米轉(zhuǎn)換至30納米，且均生產(chǎn)4G產(chǎn)品。

　　產(chǎn)能配置方面，至2012年1月晶圓代工每月投片量拉升至6萬片，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片約2萬片，Nand Flash約6000千片。

　　2012年資本支出約20億元至30億元。

　　2013年四月，力晶P3廠約月產(chǎn)能2萬片12吋廠設(shè)備及生產(chǎn)線由金士頓標(biāo)下，并由力晶代工。

　　2014年6月，轉(zhuǎn)投資LCD驅(qū)動(dòng)IC廠瑞力被Synaptics并購，力晶出售所有持股后，預(yù)期獲利約36億元，且與Synaptics達(dá)成協(xié)議維持合作關(guān)系，Synaptics在整合LCD驅(qū)動(dòng)IC及觸控IC的單芯片，將交由力晶生產(chǎn)。

　　另外，公司規(guī)劃每股凈值回升至10以上，且還清銀行負(fù)債后，再重新掛牌上。