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臺(tái)積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲

2017-10-11
關(guān)鍵詞: 芯片 晶圓 臺(tái)積電 制程

10月7日,芯片代工廠臺(tái)積電宣布選址南科臺(tái)南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀透漏,臺(tái)積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè),于2020年左右竣工,這也將成為全球首家3nm晶圓廠。

2016年末至2017年初,三星與臺(tái)積電先后推出10nm制程工藝,穩(wěn)占手機(jī)芯片市場(chǎng)80%以上的市場(chǎng)份額。在這場(chǎng)角斗中,英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢,錯(cuò)失了市場(chǎng)先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺(tái)積電,但是對(duì)于整體市場(chǎng)來說,并沒有太大影響。

臺(tái)積電面臨的局勢(shì)

臺(tái)積電主要客戶為蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、NVDIA以及華為海思等,3nm晶圓廠的建設(shè)對(duì)于其客戶來說無疑是一大喜訊,但對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星與英特爾來說將是巨大的壓力。目前三星以及英特爾都將重點(diǎn)放在7nm制程工藝上,畢竟未來一年誰先推出7nm制程工藝誰便可在市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。

從臺(tái)積電的這場(chǎng)大動(dòng)作中我們不難看出,半導(dǎo)體芯片制程工藝之爭(zhēng),已經(jīng)愈發(fā)激烈,誰都不希望錯(cuò)失市場(chǎng)先機(jī)。2016年整體業(yè)績(jī)顯示,臺(tái)積電的凈利潤(rùn)率約為35.3%,英特爾的凈利潤(rùn)率約為17.3%,聯(lián)發(fā)科凈利潤(rùn)率約為8.7%,而眾多芯片企業(yè)則希望三星加入競(jìng)爭(zhēng),以降低臺(tái)積電代工的價(jià)格。

在三星展開強(qiáng)勢(shì)攻擊后,臺(tái)積電不得不降低代工成本,同時(shí)加快制程工藝的研發(fā),這也是臺(tái)積電急切建設(shè)3nm晶圓廠的原因之一。隨著制程工藝的提升,其制程節(jié)點(diǎn)也越來越接近物理極限,工藝難度越來越高。在與三星的長(zhǎng)期肉搏之中,制程工藝的提升已經(jīng)走上單車道,這也是臺(tái)積電如此快速上馬3nm圓晶廠的原因。

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(圖片來源:臺(tái)積電官網(wǎng))

臺(tái)積電雙首長(zhǎng)制

此前,張忠謀曾宣布,將于明年6月退休,由魏哲家擔(dān)任總裁、劉德音出任董事長(zhǎng),這種制度被外界戲稱為“雙首長(zhǎng)制”,也被外界一直認(rèn)為這是張忠謀離任前的“最后貢獻(xiàn)”。

對(duì)于管理方面,張忠謀表示,他們倆具有很強(qiáng)的互補(bǔ)作用,一加一大于二。在之前的業(yè)績(jī)考核中,魏哲家與劉德音則分別負(fù)責(zé)蘋果與高通公司方面的業(yè)務(wù),結(jié)果高通不久便將業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向三星,臺(tái)積電也痛失一大客戶。對(duì)于這個(gè)問題,主要還是代工成本未談攏,而對(duì)于劉德音的能力,張忠謀則是極為看重的。

作為臺(tái)積電的創(chuàng)始人,張忠謀所有的心血幾乎全部?jī)A注于臺(tái)積電上,對(duì)于臺(tái)積電的未來,他也有自己的打算。分權(quán)執(zhí)掌并非壞事,這樣也可以避免獨(dú)立專行,從長(zhǎng)遠(yuǎn)角度來看,如果兩人未來配合順利,臺(tái)積電的業(yè)績(jī)與利潤(rùn)將更上一籌。

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臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀(圖片來源:臺(tái)積電官網(wǎng))

臺(tái)積電的布局

目前,在高端芯片制造領(lǐng)域,主要還是英特爾、臺(tái)積電和三星幾家企業(yè)。雖然中國大陸加大了半導(dǎo)體領(lǐng)域投資,國內(nèi)企業(yè)也正在沖刺28nm以及14nm技術(shù)。但總體而言,與英特爾、臺(tái)積電和三星還有很大的差距。

張忠謀曾表示,中國大陸芯片代工企業(yè)技術(shù)不成熟,相比臺(tái)積電還有很大差距。對(duì)此,主要原因還是國內(nèi)代工企業(yè)沒有核心技術(shù),而此前國內(nèi)芯片代工企業(yè)采取的并購措施也多受限制,這對(duì)于發(fā)展較晚的國內(nèi)各大代工企業(yè)來說,無疑雪上加霜。對(duì)于英特爾、三星與臺(tái)積電之間的“明爭(zhēng)暗斗”,很多時(shí)候都只能“坐山觀虎斗”。

在與其他廠商競(jìng)爭(zhēng)中,三星14/16nmFinFET、10nm工藝均領(lǐng)先于臺(tái)積電量產(chǎn)。為此,高通驍龍820、驍龍835、驍龍625和驍龍660等訂單全部被三星奪得。而在7nm工藝方面,三星EUV技術(shù)似乎也走在了臺(tái)積電的前面。這對(duì)于臺(tái)積電而言無疑是非常不利的,更何況還有另外一個(gè)強(qiáng)大的對(duì)手英特爾。

在此背景下,臺(tái)積電3nm晶圓廠的建設(shè)就不難理解了,這也是張忠謀離任前為臺(tái)積電未來定下的一大戰(zhàn)略基調(diào)。


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