據(jù)報道，在韓國政府主導(dǎo)下，三星電子和SK 海力士統(tǒng)籌成立了一個總規(guī)模達2000 億韓元(約11.8 億人民幣)的基半導(dǎo)體希望基金，投資一些具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。
業(yè)內(nèi)人士分析，韓國的半導(dǎo)體希望基金金額規(guī)模雖然不大，但這個意義是非常大，因為是由韓國兩大企業(yè)領(lǐng)銜。同時由于資金有限，這個基金的方向應(yīng)該不是在于建設(shè)新廠，擴充產(chǎn)能，更多是聚焦在新技術(shù)的開發(fā)，尤其是存儲新技術(shù)方面的投入。
報導(dǎo)引述南韓企劃財務(wù)部副部長周亨煥談話指出，期許“半導(dǎo)體希望基金”，能成為促進南韓系統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的催化劑。
過去幾年內(nèi)中國正在大舉發(fā)展半導(dǎo)體，尤其是最近一年，密集的推出相關(guān)的存儲產(chǎn)業(yè)園布局和建設(shè)，直指三星和SK 海力士的大本營，韓國半導(dǎo)體的腹地。
在這個時候做這樣的決定，韓國政府這是緊張了?
中國進攻存儲，觸動了韓國的神經(jīng)
從2014 年建立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，再到去年公布“中國制造2025 ”，中國政府已經(jīng)把建設(shè)自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈提上了重要的地位。而在這兩年的對外收購兼并，對內(nèi)投資建設(shè)推動下，中國半導(dǎo)體獲得了飛速發(fā)展。
據(jù)媒體報道，中國大陸IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從2010 年210.3 億美元逐年成長至2015 年579.7 億美元，2010~2015 年復(fù)合成長率達19.1% 。Digitimes Research 預(yù)估，雖然智能手機出貨量成長趨緩，加上全球經(jīng)濟前景不確定性仍高，但在大陸IC 內(nèi)需市場仍能穩(wěn)定成長，加上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持推動下，2016 年大陸IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達666.4 億美元，年成長15% 。
在IC 設(shè)計、制造、封裝、測試多個領(lǐng)域齊頭并進的時候，中國半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。
從去年的全球半導(dǎo)體市場看，半導(dǎo)體存儲器的銷售額為772 億美元，在半導(dǎo)體市場中占比為23% 。相比之下，微處理器、邏輯IC 和模擬電路的市場占比則分別為19% 、28% 和13% 。由此可見，存儲的地位舉足輕重。
但對比明顯的是，中國存儲產(chǎn)業(yè)幾近一片空白，除了兆易創(chuàng)新等幾家公司在特殊領(lǐng)域有一些存儲器產(chǎn)品，其他通用領(lǐng)域近乎于無，所以90% 以上依賴進口。據(jù)市場研究機構(gòu)數(shù)據(jù)，2015 年中國DRAM 采購金額約為120 億美元，NAND Flash 采購金額為66.7 億美元，各占全球DRAM 和NAND 供貨量的21.6% 和29.1% ，在未來幾年需求將會暴增，為了控制成本，保證安全，中國于是開始打造自主存儲產(chǎn)業(yè)鏈，從而掀起了轟轟烈烈的存儲產(chǎn)業(yè)建設(shè)熱潮。
目前主要集中在合肥、晉江和武漢等地方布局。
據(jù)了解，合肥當(dāng)?shù)氐拇鎯I(yè)務(wù)由合肥市政府與爾必達前社長坂本幸雄所建立的兆基科技合作推進，瞄準的是DRAM ;
晉江方面則是由晉江當(dāng)?shù)氐臅x華集成電路公司主導(dǎo)，聯(lián)合聯(lián)華電子，在當(dāng)?shù)卮蛟霥RAM 產(chǎn)品線;
武漢則由紫光收購武漢新芯建立的長江存儲主導(dǎo)，而未來聚焦的是NAND FLASH ，尤其是新近興起的3D NAND Flash 。
中國的目標是到2020 年存儲芯片自給率達到40% ，這將會觸犯三星和SK 海力士為首的韓國半導(dǎo)體業(yè)者的利益。
從韓國半導(dǎo)體的發(fā)展?fàn)顩r我們可以得知，他們目前的數(shù)百家半導(dǎo)體及其相關(guān)企業(yè)主要分為元件、設(shè)計、設(shè)備和材料幾類，當(dāng)中以存儲型半導(dǎo)體占比最大，據(jù)市場數(shù)據(jù)顯示，韓國的存儲型半導(dǎo)體占其半導(dǎo)體產(chǎn)值80% 以上的市場。而三星和SK 海力士則分居存儲器市場第一二名的位置。
據(jù)韓媒Money Today 報導(dǎo)，市調(diào)機構(gòu)IHS 資料顯示，2015 年三星DRAM 營收為204.34 億美元，較2014 年186.61 億美元成長9.5% ，首次突破200 億美元。雖然全球DRAM 市場規(guī)模由462.46 億美元萎縮至450.93 億美元，但三星營收卻逆勢成長。從整年度的市占率來看，三星占45.3% 創(chuàng)下歷史新高;而排名第二的SK 海力士(SK Hynix )為27.7% ，營收124.89 億美元，較2014 年126.66 億美元減少，但市占率微幅增加。
值得一提的是三星電子自1992 年開發(fā)出64Mb DRAM 之后，連續(xù)24 年蟬聯(lián)DRAM 半導(dǎo)體全球市占率第一，NAND Flash 方面也自2002 年起就維持第一名到現(xiàn)在。
從八月份的一個數(shù)據(jù)我們得知，這兩家企業(yè)占了DRAM 全球市場份額的75% ，而在2015 年，兩者的NAND FLASH 全球市場份額也高達45% ，按今年7 月的數(shù)據(jù)，光三星一家，其2016 年第一季度的NAND FLASH 市場份額就高達42.6% 。這個比例有點驚人。
2015 年主要原廠NAND Flash 的市場份額
根據(jù)Digitimes 的數(shù)據(jù)顯示，2015 年，韓國半導(dǎo)體的半導(dǎo)體出口金額自2014 年626 億美元增加3 億美元至629 億美元，連續(xù)2 年創(chuàng)新高。其中存儲器的的出口金額雖然從2014 年340 億美元相對高點略減至338 億美元，但是其在韓國半導(dǎo)體出口中所占的份額則高達50% 以上，可見存儲器對韓國的重要性。
另外，我們從以往的數(shù)據(jù)可以看到，韓國的三星和SK 海力士在中國是僅次于Intel 的第二、第三位供應(yīng)商。由此可以看出，韓國理應(yīng)對中國建設(shè)存儲產(chǎn)業(yè)緊張，進而建立了這個半導(dǎo)體希望基金。
中國大陸存儲將面臨更大壓力
從上面的介紹中我們得知，存儲產(chǎn)業(yè)主要由DRAM 和FLASH 兩種產(chǎn)品組成。而在這兩方面，韓國兩家企業(yè)都有領(lǐng)先的優(yōu)勢，這些都不可能是一蹴而就的。
首先從成本上分析一下。
研究機構(gòu)Bernstein Research 表示，存儲產(chǎn)業(yè)為典型資本密集與技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)。先從資本談起，光土地、廠房不含設(shè)備，可能就得耗掉32~42 億人民幣，研究機構(gòu)Bernstein 預(yù)估，若要取得DRAM 或NAND Flash 其中一個市場的一席之地，至少需15% 左右的市占，以2014 年第四季產(chǎn)能來估算，一個月產(chǎn)出得達20 萬片(資本支出大約在200 億美元，約1352 億人民幣左右)。
在追逐市占的過程中，若產(chǎn)能一個月增加到20 萬片的幅度，市場將出現(xiàn)超額供給，對于初期生產(chǎn)成本較高的新進者而言，價格會掉到成本以下，新進者即便前面16~ 24 個月之間投入200 億美元以上的資本支出，十年內(nèi)仍會落后產(chǎn)業(yè)先進者一個世代以上。
Bernstein 預(yù)估，新進者投入DRAM 產(chǎn)業(yè)，將得承受前面十年400 億美元(約2703 億人民幣)的虧損，投入NAND 產(chǎn)業(yè)前面十年也要有面臨350 億美元(約2365 億人民幣)損失的心理準備。
因此從資金投入上看，對中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就是一個大挑戰(zhàn)。雖然有國家的支持，但這也是一筆不少的支出。
其次就是技術(shù)。
我們知道三星和SK 海力士能夠從諸多競爭對手中突圍而出，除了其雄厚的資金做支持外，他們在技術(shù)上面的積累也異常重要。韓國半導(dǎo)體業(yè)界普遍認為，中國大陸在DRAM 和NAND Flash 的技術(shù)與三星電子和SK 海力士的技術(shù)相差甚遠，難以在短時間內(nèi)趕上。
這不但體現(xiàn)在其技術(shù)、基礎(chǔ)積累，更體現(xiàn)在其專利上。三星等企業(yè)已經(jīng)在存儲器方面布下了嚴密的專利網(wǎng)，對于中國企業(yè)來說，是一個巨大的挑戰(zhàn)。
很多國內(nèi)媒體認為，3D NAND Flash 會是中國的突圍方向。我們不妨來看一下這方面的差距。
現(xiàn)在各家半導(dǎo)體大廠的3D NAND 技術(shù)早已如火如荼在開發(fā)中，目前進入32 層堆疊技術(shù)，業(yè)界都認為2017 年下半是3D NAND 產(chǎn)能大量開出之時，目前看來時間點是對的，但各家半導(dǎo)體大場面臨的考驗恐怕會比預(yù)期艱巨數(shù)倍。
過去平面NAND Flash 芯片朝兩方面前進，一是陸續(xù)有SLC 、MLC 、TLC 型NAND Flash 芯片的演進來提高儲存容量并降低成本;二是制程技術(shù)不斷往前，目前已經(jīng)進入18/16/15 納米制程，但無法否認的是，技術(shù)前進的同時，其NAND Flash 的氧化層越薄，芯片可靠性是遞減的，因此需要用額外的方式來增強效能，這又使得成本提升，因此，平面NAND Flash 技術(shù)已無法滿足市場需求，開始進入3D NAND 時代。
進入3D NAND 技術(shù)后，制程技術(shù)的演進成為其次，堆疊層數(shù)才是重點，層數(shù)越高會使儲存容量越大。不過，當(dāng)堆疊層數(shù)越高時，各層對準的技術(shù)就很困難，定位技術(shù)必須做的好，因為堆越高會越難對準。
三星曾對外表示，不久將來會看到100 層堆疊的技術(shù)出現(xiàn)。根據(jù)業(yè)界進度，2017 年3D NAND 技術(shù)會到80 層，2020 年到100 層，至于3D NAND 技術(shù)的堆疊極限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至認為可堆到200 層，但以目前技術(shù)挑戰(zhàn)而言，真的堆疊到200 層，恐怕對準的精準度是很大考驗，可能良率也不見得太好，即使是2020 年到100 層，恐怕難度都很高。
三星在3D NAND 技術(shù)世代上仍是龍頭廠，是全球第一家量產(chǎn)3D NAND 技術(shù)的半導(dǎo)體廠，技術(shù)演進也最扎實。三星在2013 年推出24 層疊的3D NAND 芯片，之后32 層堆疊、48 層堆疊的芯片陸續(xù)問世。
三星計劃今年第4 季轉(zhuǎn)進第四代64 層堆疊技術(shù)的3D NAND 芯片，估計每片晶圓的儲存容量再提高30% ，意味成本持續(xù)下降，三星也對外指出，100 層堆疊以上的技術(shù)不是夢。
而在DRAM 方面，同樣以三星為例。
BusinessKorea 31 日報導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn)18納米制程DRAM ，準備在明年下半生產(chǎn)15 、16 納米DRAM 。同時，該公司將拉高18 納米DRAM 占整體DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至30~40% 。相關(guān)人士說，明年三星10 納米等級DRAM ，將占整體DRAM 生產(chǎn)的一半。
研究估計，當(dāng)前三星DRAM 生產(chǎn)以20 納米為主、占82% ，18 納米僅占12% 。
三星制程微縮進展比原先預(yù)期更為快速，內(nèi)存部門主管Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年將量產(chǎn)10 納米等級DRAM ，如今看來，應(yīng)該2019 年初就能達成目標。
本身三星的SK 海力士的發(fā)展是由韓國政府在背后的支持而發(fā)展起來的，在中國在效仿韓日，想打造自己的存儲產(chǎn)業(yè)的時候，甚至用九倍年薪從韓國挖人，積累技術(shù)儲備的時候，上任以來一直在打擊三星的樸槿惠政府這時候走出來支持三星和SK 海力士，無疑釋放出了一個明顯的信號，政府支持三星和SK海力士對抗來自中國的威脅，雖然十幾億人民幣的基金跟中國上千億的基金規(guī)模沒得比，但是由于其本身的技術(shù)積累，對于中國存儲來說，韓國政府的這個做法，也會讓其感到不安。
難道當(dāng)年韓國打擊臺灣DRAM 發(fā)展的故事又將重演?
在2008 年金融海嘯發(fā)生以后，當(dāng)年臺灣DRAM 技術(shù)的主要來源無能力投入更多的資金進行研發(fā)之時，三星李健熙逮到機會，執(zhí)行三星最常用的逆勢投資法，在臺日兩國停止投資后，反而增加資本支出、強化研發(fā)支出，加速推進制程技術(shù)及價格戰(zhàn)，這也造成后來爾必達及臺灣DRAM 廠紛紛宣布破產(chǎn)下市。
中國在各個方面技術(shù)還不如臺灣的情況下，這下在面臨的挑戰(zhàn)無疑是更加巨大了。
雖然面臨的挑戰(zhàn)依然巨大，但對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，存儲的重要性是毋庸置疑的，因此多艱難也要砥礪前行。中國大陸或可繼承臺灣未竟之事業(yè)，打造真正的中國存儲。