大陸存儲器業(yè)新秀武漢新芯28日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金（大基金）支持，向全球宣示大陸建立自主存儲器技術與制造的決心。

　　這是繼紫光集團進軍存儲器領域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于存儲器領域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的存儲器芯片建廠案，牽動全球存儲器板塊移動，業(yè)界高度關注  。

　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價競爭、供過于求的窘境。

　　武漢新芯進軍DRAM產(chǎn)業(yè)，大舉建廠，加上紫光和合肥市政府后續(xù)也都有意在大陸蓋DRAM廠，反映大陸力攻存儲器的旺盛企圖心，是否會讓DRAM產(chǎn)業(yè)重蹈LED、面板、觸控的覆轍，  使市場陷入紅海，乃至威脅南亞科、華邦等臺灣廠商，都不容小覷。

　　據(jù)悉，武漢新芯稍早也曾爭取與三星、SK海力士及美光等大廠技術合作，但未獲三大廠同意，武漢新芯因而改采自主研發(fā)與蓋廠方式進行。

　 　DRAM   專業(yè)研調(diào)機構集邦科技表示，武漢新芯成立于二○○六年，是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目，先前曾與大陸晶圓代工龍頭中芯國際一起營運中芯旗下的一座十  二寸廠。隨著中芯二○一三年退出合作，武漢新芯獨立為單一公司，由武漢市政府負責，經(jīng)營團隊多具備國際半導體公司歷練背景

　　集邦匯整的資料顯示，武漢新芯仍持續(xù)主導從中芯手中接下的十二寸廠生產(chǎn)，目前主要品以編碼型快閃存儲器（NOR Flash）為主，并進軍3D  NAND芯片技術研發(fā)，未來將打造至少二座以上十二寸晶圓廠的中國大陸存儲器芯片制造基地。

　　武漢新芯后來并獲得大陸國家大基金支持，將籌資二百四十億美元（約新臺幣七千八百億元），長期建立月產(chǎn)能高達卅萬片的十二寸廠，生產(chǎn)DRAM、NAND  Flash等關鍵存儲器產(chǎn)品。

　　中國大陸全力發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，臺灣唯一取得切入?yún)⑴c1x奈米制程DRAM競賽門票的南亞科總經(jīng)理李培瑛認為短期還不會構成影響；但業(yè)界擔心大陸將對臺展開新一波挖角。

　　李培瑛并強調(diào)，南亞科將會參與中國大陸市場，目前也是關鍵的供應商。

　　但半導體業(yè)界人士表示，大陸發(fā)展DRAM技術，已具備雄厚資金和市場做靠山，未來除尋求與國際大廠技術合作外，也會向有發(fā)展經(jīng)驗的臺灣進行挖角，值得臺廠密切注意。