馬斯克計(jì)劃每年為2萬人植入芯片

7月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，埃隆·馬斯克旗下的腦機(jī)接口公司Neuralink正計(jì)劃進(jìn)行大規(guī)模業(yè)務(wù)擴(kuò)張。 根據(jù)其向投資者展示的資料，該公司預(yù)計(jì)到2031年，每年將為約2萬名患者植入腦機(jī)接口芯片，屆時(shí)年?duì)I收目標(biāo)至少達(dá)到10億美元。 為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，Neuralink計(jì)劃在未來六年內(nèi)運(yùn)營約五家大型診所，并推出至少三個(gè)不同版本的植入設(shè)備：Telepathy（心靈感應(yīng)） 旨在實(shí)現(xiàn)人腦與機(jī)器之間的直接通信；Blindsight（盲視） 致力于幫助盲人恢復(fù)視覺；Deep（深度） 則專注于治療震顫和帕金森病等神經(jīng)系統(tǒng)疾病。

發(fā)表于：7/24/2025

6G到來之前 全球RAN市場將達(dá)1600億美元

7月24日消息根據(jù)市場研究公司Dell'Oro Group的最新預(yù)測報(bào)告，5G技術(shù)雖已取得長足進(jìn)展，但未來發(fā)展仍面臨挑戰(zhàn)。據(jù)其預(yù)測，在2025至2029年預(yù)測期內(nèi)，全球RAN收入（不含服務(wù)業(yè)務(wù)）將保持平穩(wěn)態(tài)勢，累計(jì)收入將達(dá)到1600億美元。 Dell'Oro Group RAN市場研究副總裁Stefan Pongratz表示：“在連續(xù)兩年大幅下滑導(dǎo)致全球RAN設(shè)備收入減少近90億美元后，市場狀況正在企穩(wěn)，這令人鼓舞。但與此同時(shí)，我們也不應(yīng)過于樂觀地預(yù)期市場將迅速復(fù)蘇。短期市場波動可能發(fā)生，部分源于新技術(shù)部署的異步性。然而，這些波動不會改變決定市場長期走向的基本面因素?！?/a>

全球首款A(yù)I光子處理器啟動

7月23日消息，據(jù)EEnews europe報(bào)道，德國光子處理器開發(fā)商Q.ANT已將其原生處理服務(wù)器（NPS）交付給萊布尼茨超級計(jì)算中心（LRZ），這標(biāo)志著模擬光子協(xié)處理器首次集成到可作的高性能計(jì)算（HPC）環(huán)境中。

發(fā)表于：7/24/2025

英偉達(dá)Thor芯片量產(chǎn)多次延期 算力大幅縮水

7月23日消息，日前英偉達(dá)的一把手黃仁勛訪華，展示了一波“高情商”，圈粉無數(shù)，然而這背后其實(shí)有著更多精彩故事。 當(dāng)前不少車企已經(jīng)在努力擺脫英偉達(dá)，包括小鵬、蔚來已經(jīng)自研了AI芯片，且量產(chǎn)裝車。起碼多賣出2萬輛汽車，對應(yīng)約60億元的銷售收入。

發(fā)表于：7/24/2025

德州儀器三季度指引不及預(yù)期 股價(jià)暴跌13%

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年7月22日，美國芯片大廠德州儀器（TI）公布其第二季度財(cái)報(bào)，整體業(yè)績優(yōu)于預(yù)期，但是對于第三季的業(yè)績指引不及分析師的預(yù)期，使得德州儀器股價(jià)于23日大跌13.34%。

發(fā)表于：7/24/2025

美光推出首款太空認(rèn)證NAND閃存

7 月 23 日消息，美光美國愛達(dá)荷州博伊西當(dāng)?shù)貢r(shí)間 22 日宣布推出擁有在耐輻射 SLC NAND 領(lǐng)域最高 256Gb 容量的閃存。這不僅是美光首款獲得正式且完整太空認(rèn)證的 NAND，也是首款由主要存儲器制造商提供的同規(guī)格產(chǎn)品。

發(fā)表于：7/23/2025

消息稱三星2018年錯(cuò)失與英偉達(dá)CUDA綜合深度合作良機(jī)

7 月 23 日消息，三星電子的半導(dǎo)體分支目前在先進(jìn)工藝代工和 HBM 內(nèi)存供應(yīng)兩大方面都遭遇了未能獲得英偉達(dá)等大客戶的大訂單的困局。而根據(jù)韓國媒體 MK 的報(bào)道，三星電子在 7 年前本有可能通過不同行動避免當(dāng)下危機(jī)。

發(fā)表于：7/23/2025

消息稱DDR6內(nèi)存有望后年啟動大規(guī)模導(dǎo)入

7 月 23 日消息，臺媒《工商時(shí)報(bào)》今日報(bào)道稱，JEDEC 目前正在積極推進(jìn) DDR6 內(nèi)存規(guī)范的準(zhǔn)備工作，三大 DRAM 內(nèi)存原廠已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì)，新一代的 DDR 內(nèi)存有望在 2026 年的平臺測試與驗(yàn)證后在 2027 年進(jìn)入大規(guī)模導(dǎo)入期。

發(fā)表于：7/23/2025

我國大科學(xué)裝置高能同步輻射光源今年底啟動試運(yùn)行

7 月 22 日消息，據(jù)央視新聞今日援引中國科學(xué)院高能物理研究所消息，位于北京懷柔科學(xué)城的大科學(xué)裝置 —— 高能同步輻射光源（HEPS）一期工程建設(shè)將于 2025 年底完成，啟動試運(yùn)行。作為我國重大科技基礎(chǔ)設(shè)施，“高能同步輻射光源”建成后將成為世界上發(fā)射度最低、亮度最高的第四代同步輻射光源之一。

發(fā)表于：7/23/2025

我國牽頭制定的全球首個(gè)光伏直流領(lǐng)域國際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

7 月 22 日消息，據(jù)央視新聞今日報(bào)道，由我國牽頭制定的國際標(biāo)準(zhǔn)《分布式光伏發(fā)電接入低壓直流系統(tǒng)及用例》國際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。 該標(biāo)準(zhǔn)是光伏直流領(lǐng)域的首個(gè)國際標(biāo)準(zhǔn)，為分布式光伏開發(fā)與新型配電系統(tǒng)建設(shè)奠定了基礎(chǔ)，為全球分布式光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了指南。

發(fā)表于：7/23/2025