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英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！

英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！

早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達當(dāng)時的預(yù)計，2024年英偉達將交付10億個內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。在此次RISC-V中國峰會上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術(shù)委員會代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻者。英偉達產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。

深圳：正在加快設(shè)立百億級半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金

10月14日，深圳市政府新聞辦舉行新聞發(fā)布會，介紹“2024灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會”相關(guān)情況。深圳市發(fā)展改革委副主任朱云在會上宣布，深圳正在加快設(shè)立百億級半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，并推動一批集成電路項目獲批2024年地方政府專項債。

發(fā)表于：10/15/2024

紫光國微董事長和副董事長辭職

10月14日晚間，紫光國微發(fā)布公告稱，公司董事會于近日收到董事長馬道杰、副董事長謝文剛的書面辭職報告。馬道杰因工作調(diào)整辭去董事長職務(wù)，仍繼續(xù)擔(dān)任董事職務(wù)；謝文剛因工作調(diào)整辭去副董事長職務(wù)，繼續(xù)擔(dān)任董事、總裁職務(wù)。根據(jù)相關(guān)規(guī)定，辭職報告自送達董事會之日起生效。

發(fā)表于：10/15/2024

三星或?qū)BM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬顆

據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已將2025年底HBM(高帶寬內(nèi)存)最大產(chǎn)能(CAPA)目標(biāo)降低10%以上，從原來的每月20萬顆下調(diào)至每月17萬顆。鑒于向主要客戶的量產(chǎn)供應(yīng)被推遲，三星似乎對其尖端的HBM設(shè)備投資計劃采取了保守的態(tài)度。為增強半導(dǎo)體競爭力，該公司還將直接派遣研發(fā)人員到工廠，改善與一線生產(chǎn)團隊的溝通和協(xié)作。直到去年第二季度，三星電子還計劃在2024年年底將HBM的產(chǎn)能提高至每月14萬至15萬片，并在2025年年底提高至每月20萬片。這一結(jié)果反映了其主要競爭對手增加HBM產(chǎn)量的應(yīng)對策略，以及英偉達等主要客戶的質(zhì)量測試即將完成的積極前景。

發(fā)表于：10/15/2024

英特爾本周進入裁員高峰期

英特爾本周進入裁員高峰期！

發(fā)表于：10/15/2024

蘋果三折疊和四折疊手機專利曝光

蘋果三折疊、四折疊手機專利曝光

發(fā)表于：10/14/2024

TrendForce預(yù)測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩

TrendForce預(yù)測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩，需求主要靠AI服務(wù)器維持

發(fā)表于：10/14/2024

英偉達未來12個月的Blackwell GPU已全部售罄！

英偉達未來12個月的Blackwell GPU已全部售罄！

發(fā)表于：10/14/2024

imec與Arm等歐洲公司簽署汽車Chiplet計劃

imec與Arm、BMW、Bosch等歐洲公司簽署汽車小芯片計劃

發(fā)表于：10/14/2024

超低雜散多級反饋帶通濾波器設(shè)計

針對于高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的測試和測量中，高質(zhì)量的帶通濾波器是非常關(guān)鍵的部分，然而，使用無源元器件實現(xiàn)低頻高質(zhì)量的濾波器需要大電感，尺寸和成本都令人望而卻步。采用高性能全差分音頻放大器OPA1632D設(shè)計了六階有源1 kHz帶通濾波器。該帶通濾波器采用多級反饋設(shè)計，原理結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計成本低廉，使用TINA-TI仿真測試效果較好，實際應(yīng)用于高性能模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器AD7961前端濾波測試，SNR與SFDR動態(tài)指標(biāo)接近手冊理論值。仿真和實踐證明該濾波器的設(shè)計滿足高精度的數(shù)據(jù)采集前端濾波的使用需求。

發(fā)表于：10/12/2024

面向密碼芯片設(shè)計階段的仿真?zhèn)刃诺腊踩苑治龇椒ㄑ芯?/a>

密碼芯片是密碼算法實現(xiàn)的重要載體，在信息系統(tǒng)中承擔(dān)了加解密、簽名、認證等功能，側(cè)信道分析是檢測密碼芯片安全性的重要手段，當(dāng)前行業(yè)內(nèi)通常采用專用設(shè)備進行側(cè)信道分析，該方法存在發(fā)現(xiàn)時間晚、修復(fù)成本高、硬件設(shè)備昂貴等問題。研究面向密碼芯片設(shè)計階段的能量采集與側(cè)信道分析方法，采用EDA工具在設(shè)計階段對密碼芯片的RTL代碼進行功能仿真，通過分析仿真生成的波形記錄文件，實現(xiàn)對能量跡的模擬和采集。采用Welch t檢驗、KL散度和相關(guān)能量分析方法，實現(xiàn)了對芯片RTL代碼的泄漏檢測、泄漏定位和側(cè)信道攻擊。通過對AES-128 RTL設(shè)計的仿真實驗，證明了該方法能夠正確地反映能量泄漏情況，且能夠在不借助專用硬件設(shè)備的條件下實現(xiàn)對密碼芯片早期設(shè)計階段的側(cè)信道泄漏安全風(fēng)險檢測。

發(fā)表于：10/12/2024