解決方案 从 L1~L5 自动驾驶芯片发生了哪些变化？[通信与网络][汽车电子] 在 2022 年之前，全球汽车产业链上的企业对目标场景并没有那么清晰，所以总希望通过算力抬升来实现硬件冗余，而今天当自动驾驶往高阶发展，从 L2 开始逼近 L3，甚至再往上走，技术和产品批量落地面临的最大挑战是需求侧的承受能力，这正在倒逼车厂进行新一轮的成本管控下的系统优化。通过实践证明，这两年 L2、L2+级别的自动驾驶将成为车厂标配，这一趋势已形成行业共识。 發(fā)表于：2023/12/1 下午5:21:00 亚信推出低功耗AX88772E免驱动USB 2.0转百兆以太网芯片[通信与网络][消费电子] 亚信电子（ASIX Electronics Corporation）今日推出一款最新小封装、低功耗、免驱动USB百兆以太网芯片—【AX88772E USB 2.0转百兆以太网控制芯片】，不仅满足客户对节能减碳的产品需求，并可轻松实现简便地即插即用（Plug and Play）的连网体验。 發(fā)表于：2023/11/30 上午8:19:00 半导体创新如何塑造边缘 AI 的未来[人工智能][物联网] 当工程师们提到“边缘”，并不是指一个遥远的抽象地点。我们的家里、办公室里和工厂里就存在边缘。边缘是捕获和计算数据所在的本地环境或设备，如机器人或智能家居设备。边缘 AI 能在本地设备上实现实时智能和响应，无需将数据发送到局域网以外的云。 發(fā)表于：2023/11/30 上午7:43:00 嵌入式FPGA IP正在发现更广阔的用武之地[嵌入式技术][工业自动化] 在日前落幕的“中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2023）”上，Achronix的Speedcore™嵌入式FPGA硅知识产权（eFPGA IP）受到了广泛关注，预约会议、专程前往或者驻足询问的芯片设计业人士的数量超过了往届，表明了越来越多的国内开发者正在考虑为其ASIC或SoC设计添加高性能eFPGA逻辑阵列。 發(fā)表于：2023/11/30 上午7:16:00 MVG测试测量解决方案确保汽车天线通信性能的安全、稳定和高效[测试测量][汽车电子] 随着下一代高级驾驶辅助系统的出现和车载信息娱乐设备的日益普及，车辆正在使用大量的无线技术来实现车对车（V2V）车对基础设施（V2I）和车对网（V2N）的连接。对于产品开发、设计和安置的所有阶段，MVG都有专门用于汽车工业的独立天线测试、空中（OTA）测量解决方案和模拟软件解决方案。 發(fā)表于：2023/11/27 上午12:07:37 如何设计电池充电速度快4倍的安全可穿戴设备[电源技术][消费电子] 本文将介绍模拟真无线立体声（TWS）耳机应用电源架构的参考设计。它能将应用的快速充电速度提高近4倍，同时优化解决方案尺寸和系统BOM成本。使用热敏电阻和热成像测量得出的测试结果显示，与传统解决方案相比温度更低。该设计展示了采用单电感、多输出（SIMO）架构且具有自动裕量跟踪功能的解决方案所提供的众多优势。 發(fā)表于：2023/11/26 下午11:49:05 SPICE与IBIS：为电路仿真选择更合适的模型[模拟设计][工业自动化] 随着电路仿真技术在原型设计行业的不断普及，仿真模型可能成为广大终端市场客户的一项关键需求。SPICE和IBIS模型是非常受欢迎的两种仿真模型，有助于在电路板开发的原型设计阶段节省成本。本文将介绍SPICE与IBIS建模系统的区别，以及在制造电路板之前进行测试的重要意义。将讨论如何根据电路设计选择合适的模型。此外还将分析一些示例使用场景和常用的仿真工具，如LTspice® 和HyperLynx®。 發(fā)表于：2023/11/26 下午11:20:00 PCIe 6之后，敢问路在何方[测试测量][通信网络] PCIe Express® 物理层先从 Gen 4.0 飞速发展到了 Gen 5.0，最后升级至 Gen 6.0，且 6.0 规范包含了开发硅芯片所需的一切。数据传输速率从 16 Gt/s 提升到 32 GT/s，Gen 6.0 更是增加到了 64 GT/s（每秒千兆传输速率）。而且，首次采用了PAM4多级信号调制技术，允许我们在单个单位时间内编码两位信息。借此，我们将 Gen 5.0 的数据传输速率增加了一倍。 發(fā)表于：2023/11/26 上午8:01:00 智能断路器开发首选SCR：超小尺寸，支持 750 V浪涌峰压[电源技术][工业自动化] X0115ML是ST为接地故障断路器 （GFCI） 和电弧故障断路器（AFCI）设计的首款断态浪涌峰值电压750 V的紧凑型可控硅整流器（SCR），SOT23-3L微型封装 （2.75 mm x 3.10 mm），可能是当今市场上最小的晶闸管，工程师可以节约很大的电路板空间，同时让工业应用具有 600 V 的断态重复峰值电压。此外，1.1 mm 的爬电距离满足 UL 840规范的120 V AC无涂层绝缘要求。 發(fā)表于：2023/11/23 下午2:44:00 以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口[EDA与制造][消费电子] 持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。 發(fā)表于：2023/11/23 下午2:21:00 <…38394041424344454647…>
