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憶阻器的概念
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技術(shù)文章—采用28nm FD-SOI汽車級微控制器嵌入式PCM宏單元
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麻省理工造第一個碳納米管混合信號集成電路
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發(fā)表于：12/21/2016 8:00:00 AM
存儲技術(shù)掀起風(fēng)暴 RRAM技術(shù)欲替代DRAM和NAND
發(fā)表于：5/10/2016 10:44:00 PM
RRAM領(lǐng)軍者Crossbar結(jié)緣中國 2017年將量產(chǎn)
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中芯國際進(jìn)軍PRAM存儲蠶食三星40nm產(chǎn)能
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中芯國際與RRAM領(lǐng)軍企業(yè)Crossbar達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議
發(fā)表于：3/14/2016 8:15:00 PM
固態(tài)硬盤的革新始點！RRAM將取代3D NAND
發(fā)表于：5/13/2015 10:23:00 AM

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